С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация

Название: Электрические свойства гетеропереходов Si/Cd₁₋ₓZnₓTe: выпускная квалификационная работа магистра: 11.04.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.04.04_01 - Микроэлектроника и наноэлектроника
Авторы: Коровина Мария Алексеевна
Научный руководитель: Зыков Валерий Андреевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2018
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Полупроводниковые гетеропереходы; Цинк
УДК: 537.311.322
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.04.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: Отзыв руководителя; Рецензия
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v18-1814
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В работе исследуются электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода Si/Cd1-xZnxTe. Приводятся результаты экспериментальных исследований спектрального и интегрального распределения фоточувствительности в гетероструктуреSi/Cd1-xZnxTe с различным содержанием цинка в пленке Si/Cd1-xZnxTe. Также приводятся экспериментальные исследования ВАХ гетероструктур. На основе результатов были исследованы механизмы токопрохождения и формирование фоточувствительности в гетеропереходе Si/Cd1-xZnxTe.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 95
За последние 30 дней: 1
Подробная статистика