Детальная информация
| Название | Разработка и исследование фотоприемников для ближнего и среднего ИК-диапазонов на основе гетероструктуры GaSb/GaAlAsSb: выпускная квалификационная работа магистра: 11.04.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.04.04_01 - Микроэлектроника и наноэлектроника |
|---|---|
| Авторы | Пивоварова Антонина Александровна |
| Научный руководитель | Яковлев Юрий Павлович ; Рыков Сергей Александрович |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2018 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | Фотоэлектронные приборы ; Инфракрасные лучи |
| УДК | 621.383:535-165 |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа магистра |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Магистратура |
| Код специальности ФГОС | 11.04.04 |
| Группа специальностей ФГОС | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| Ссылки | Отзыв руководителя ; Рецензия |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v18-1817 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\53863 |
| Дата создания записи | 16.10.2018 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Данная работа посвящена разработке технологии создания фотоприемников для средней и ближней ИК области спектра 1,1– 1,85 мкм. Такие фотоприемники изготавливались на основе гетероструктур GaSb/GaAlAsSb с низкой концентрацией носителей в активной области. Уникальный метод выращивания GaSb из свинцовых растворов-расплавов позволил достичь низкой концентрации носителей в активной области n = 21015 см3. Разработанные фотоприемники характеризуются высокой спектральной чувствительностью Sλ= 0,95А/Вт в максимуме, относительно малой величиной плотности обратного темнового тока j = (49)10−3 А/см2 при Urev = 1,0 2,0 В и высоким быстродействием (время отклика 5 10 нс).
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
- Введение
- Глава 1. Фотоприемники для спектрального диапазона 1,1 – 1,8 мкм
- 1.1. Материалы для создания фотоприемников
- 1.2. Эпитаксиальные методы создания гетероструктур на основе GaSb
- 1.3. Постростовая технология
- 1.4. Фотоприемники на основе p-n гетероструктуры
- 1.5. Характеристики фотоприемников
- Глава 2. Технология создания фотоприемников на основе гетероструктуры GaSb/GaAlAsSb
- 2.1. Жидкофазная эпитаксия GaSb/GaAlAsSb
- 2.2. Создание омического контакта методом взрывной фотолитографии
- 2.2. Утолщение омического контакта методом локального электрохимического осаждения золота
- 2.4. Травление мезаструктуры
- 2.5. Пассивация p-n-перехода
- 2.6. Создание разделительных канавок
- 2.7. Создание сплошного тыльного контакта
- Глава 3. Фотоэлектрические свойства фотоприемников на основе гетероструктурыGaSb/GaAlAsSb
- 3.1. Спектральные характеристики фотоприемников на основе гетероструктуры GaSb/GaAlAsSb
- 3.2. Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики
- Заключение
- Списоклитературы
- Список публикаций по теме диплома
Количество обращений: 79
За последние 30 дней: 0
