С 17 марта 2020 г. для образовательных ресурсов Электронной библиотеки СПбПУ установлен особый режим их использования

Детальная информация

Название: Разработка и исследование фотоприемников для ближнего и среднего ИК-диапазонов на основе гетероструктуры GaSb/GaAlAsSb: выпускная квалификационная работа магистра: 11.04.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.04.04_01 - Микроэлектроника и наноэлектроника
Авторы: Пивоварова Антонина Александровна
Научный руководитель: Яковлев Юрий Павлович; Рыков Сергей Александрович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2018
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Фотоэлектронные приборы; Инфракрасные лучи
УДК: 621.383:535-165
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.04.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: Отзыв руководителя; Рецензия
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v18-1817
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Данная работа посвящена разработке технологии создания фотоприемников для средней и ближней ИК области спектра 1,1– 1,85 мкм. Такие фотоприемники изготавливались на основе гетероструктур GaSb/GaAlAsSb с низкой концентрацией носителей в активной области. Уникальный метод выращивания GaSb из свинцовых растворов-расплавов позволил достичь низкой концентрации носителей в активной области n = 21015 см3. Разработанные фотоприемники характеризуются высокой спектральной чувствительностью Sλ= 0,95А/Вт в максимуме, относительно малой величиной плотности обратного темнового тока j = (49)10−3 А/см2 при Urev = 1,0  2,0 В и высоким быстродействием (время отклика 5  10 нс).

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать
-> Интернет Анонимные пользователи

Оглавление

  • Введение
  • Глава 1. Фотоприемники для спектрального диапазона 1,1 – 1,8 мкм
  • 1.1. Материалы для создания фотоприемников
  • 1.2. Эпитаксиальные методы создания гетероструктур на основе GaSb
  • 1.3. Постростовая технология
  • 1.4. Фотоприемники на основе p-n гетероструктуры
  • 1.5. Характеристики фотоприемников
  • Глава 2. Технология создания фотоприемников на основе гетероструктуры GaSb/GaAlAsSb
  • 2.1. Жидкофазная эпитаксия GaSb/GaAlAsSb
  • 2.2. Создание омического контакта методом взрывной фотолитографии
  • 2.2. Утолщение омического контакта методом локального электрохимического осаждения золота
  • 2.4. Травление мезаструктуры
  • 2.5. Пассивация p-n-перехода
  • 2.6. Создание разделительных канавок
  • 2.7. Создание сплошного тыльного контакта
  • Глава 3. Фотоэлектрические свойства фотоприемников на основе гетероструктурыGaSb/GaAlAsSb
  • 3.1. Спектральные характеристики фотоприемников на основе гетероструктуры GaSb/GaAlAsSb
  • 3.2. Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики
  • Заключение
  • Списоклитературы
  • Список публикаций по теме диплома

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 67
За последние 30 дней: 1
Подробная статистика