Данная работа посвящена разработке технологии создания фотоприемников для средней и ближней ИК области спектра 1,1– 1,85 мкм. Такие фотоприемники изготавливались на основе гетероструктур GaSb/GaAlAsSb с низкой концентрацией носителей в активной области. Уникальный метод выращивания GaSb из свинцовых растворов-расплавов позволил достичь низкой концентрации носителей в активной области n = 21015 см3. Разработанные фотоприемники характеризуются высокой спектральной чувствительностью Sλ= 0,95А/Вт в максимуме, относительно малой величиной плотности обратного темнового тока j = (49)10−3 А/см2 при Urev = 1,0  2,0 В и высоким быстродействием (время отклика 5  10 нс).

• Введение
• Глава 1. Фотоприемники для спектрального диапазона 1,1 – 1,8 мкм
• 1.1. Материалы для создания фотоприемников
• 1.2. Эпитаксиальные методы создания гетероструктур на основе GaSb
• 1.3. Постростовая технология
• 1.4. Фотоприемники на основе p-n гетероструктуры
• 1.5. Характеристики фотоприемников
• Глава 2. Технология создания фотоприемников на основе гетероструктуры GaSb/GaAlAsSb
• 2.1. Жидкофазная эпитаксия GaSb/GaAlAsSb
• 2.2. Создание омического контакта методом взрывной фотолитографии
• 2.2. Утолщение омического контакта методом локального электрохимического осаждения золота
• 2.4. Травление мезаструктуры
• 2.5. Пассивация p-n-перехода
• 2.6. Создание разделительных канавок
• 2.7. Создание сплошного тыльного контакта
• Глава 3. Фотоэлектрические свойства фотоприемников на основе гетероструктурыGaSb/GaAlAsSb
• 3.1. Спектральные характеристики фотоприемников на основе гетероструктуры GaSb/GaAlAsSb
• 3.2. Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики
• Заключение
• Списоклитературы
• Список публикаций по теме диплома