?
С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details
Table Card RUSMARC
Title: Разработка и исследование фотоприемников для ближнего и среднего ИК-диапазонов на основе гетероструктуры GaSb/GaAlAsSb: выпускная квалификационная работа магистра: 11.04.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.04.04_01 - Микроэлектроника и наноэлектроника
Creators: Пивоварова Антонина Александровна
Scientific adviser: Яковлев Юрий Павлович; Рыков Сергей Александрович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2018
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Фотоэлектронные приборы; Инфракрасные лучи
UDC: 621.383:535-165
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 11.04.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links: Отзыв руководителя; Рецензия
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v18-1817
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать)

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Данная работа посвящена разработке технологии создания фотоприемников для средней и ближней ИК области спектра 1,1– 1,85 мкм. Такие фотоприемники изготавливались на основе гетероструктур GaSb/GaAlAsSb с низкой концентрацией носителей в активной области. Уникальный метод выращивания GaSb из свинцовых растворов-расплавов позволил достичь низкой концентрации носителей в активной области n = 21015 см3. Разработанные фотоприемники характеризуются высокой спектральной чувствительностью Sλ= 0,95А/Вт в максимуме, относительно малой величиной плотности обратного темнового тока j = (49)10−3 А/см2 при Urev = 1,0  2,0 В и высоким быстродействием (время отклика 5  10 нс).

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print
Internet Authorized users Read Print
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • Введение
  • Глава 1. Фотоприемники для спектрального диапазона 1,1 – 1,8 мкм
  • 1.1. Материалы для создания фотоприемников
  • 1.2. Эпитаксиальные методы создания гетероструктур на основе GaSb
  • 1.3. Постростовая технология
  • 1.4. Фотоприемники на основе p-n гетероструктуры
  • 1.5. Характеристики фотоприемников
  • Глава 2. Технология создания фотоприемников на основе гетероструктуры GaSb/GaAlAsSb
  • 2.1. Жидкофазная эпитаксия GaSb/GaAlAsSb
  • 2.2. Создание омического контакта методом взрывной фотолитографии
  • 2.2. Утолщение омического контакта методом локального электрохимического осаждения золота
  • 2.4. Травление мезаструктуры
  • 2.5. Пассивация p-n-перехода
  • 2.6. Создание разделительных канавок
  • 2.7. Создание сплошного тыльного контакта
  • Глава 3. Фотоэлектрические свойства фотоприемников на основе гетероструктурыGaSb/GaAlAsSb
  • 3.1. Спектральные характеристики фотоприемников на основе гетероструктуры GaSb/GaAlAsSb
  • 3.2. Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики
  • Заключение
  • Списоклитературы
  • Список публикаций по теме диплома

Usage statistics

stat Access count: 69
Last 30 days: 1
Detailed usage statistics