Details
| Title | Разработка и исследование фотоприемников для ближнего и среднего ИК-диапазонов на основе гетероструктуры GaSb/GaAlAsSb: выпускная квалификационная работа магистра: 11.04.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.04.04_01 - Микроэлектроника и наноэлектроника |
|---|---|
| Creators | Пивоварова Антонина Александровна |
| Scientific adviser | Яковлев Юрий Павлович ; Рыков Сергей Александрович |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2018 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Subjects | Фотоэлектронные приборы ; Инфракрасные лучи |
| UDC | 621.383:535-165 |
| Document type | Master graduation qualification work |
| File type | |
| Language | Russian |
| Level of education | Master |
| Speciality code (FGOS) | 11.04.04 |
| Speciality group (FGOS) | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| Links | Отзыв руководителя ; Рецензия |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v18-1817 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\53863 |
| Record create date | 10/16/2018 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
Данная работа посвящена разработке технологии создания фотоприемников для средней и ближней ИК области спектра 1,1– 1,85 мкм. Такие фотоприемники изготавливались на основе гетероструктур GaSb/GaAlAsSb с низкой концентрацией носителей в активной области. Уникальный метод выращивания GaSb из свинцовых растворов-расплавов позволил достичь низкой концентрации носителей в активной области n = 21015 см3. Разработанные фотоприемники характеризуются высокой спектральной чувствительностью Sλ= 0,95А/Вт в максимуме, относительно малой величиной плотности обратного темнового тока j = (49)10−3 А/см2 при Urev = 1,0 2,0 В и высоким быстродействием (время отклика 5 10 нс).
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
- Введение
- Глава 1. Фотоприемники для спектрального диапазона 1,1 – 1,8 мкм
- 1.1. Материалы для создания фотоприемников
- 1.2. Эпитаксиальные методы создания гетероструктур на основе GaSb
- 1.3. Постростовая технология
- 1.4. Фотоприемники на основе p-n гетероструктуры
- 1.5. Характеристики фотоприемников
- Глава 2. Технология создания фотоприемников на основе гетероструктуры GaSb/GaAlAsSb
- 2.1. Жидкофазная эпитаксия GaSb/GaAlAsSb
- 2.2. Создание омического контакта методом взрывной фотолитографии
- 2.2. Утолщение омического контакта методом локального электрохимического осаждения золота
- 2.4. Травление мезаструктуры
- 2.5. Пассивация p-n-перехода
- 2.6. Создание разделительных канавок
- 2.7. Создание сплошного тыльного контакта
- Глава 3. Фотоэлектрические свойства фотоприемников на основе гетероструктурыGaSb/GaAlAsSb
- 3.1. Спектральные характеристики фотоприемников на основе гетероструктуры GaSb/GaAlAsSb
- 3.2. Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики
- Заключение
- Списоклитературы
- Список публикаций по теме диплома
Access count: 79
Last 30 days: 0
