Детальная информация

Название: Исследование эффекта увеличения фотопроводимости в изотипных наногетероструктурах II типа на основе полупроводников А³В⁵: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника
Авторы: Рехтин Евгений Дмитриевич
Научный руководитель: Рыков Сергей Александрович; Коновалов Глеб Георгиевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2018
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: гетероструктуры; фоточувствительность; сигнал фотоотклика; эффект усиления
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Бакалавриат
Код специальности ФГОС: 03.03.01
Группа специальностей ФГОС: 030000 - Физика и астрономия
Ссылки: Отзыв руководителя
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v18-2250
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: RU\SPSTU\edoc\54778

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Изучены гетеропереходы II типа. Исследован эффект усиления фотопроводимости в изотипных n-n узкозонных гетероструктурах InAs/InAsSbP. Получены спектральные, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики при температуре Т=77 К. Обнаружено усиление сигнала фотоотклика при малых значениях напряжения смещения. Максимальное значение фоточувствительности зафиксировано на длине волны λ = 1,7 мкм для образца SK-1 #7, и для образца SK-1 #10.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Оглавление

  • СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ
  • ВВЕДЕНИЕ
  • ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1.1. Фотоприемники, их разновидности, режимы работы
    • 1.2. Типы гетеропереходов в полупроводниках
    • 1.3. Полупроводниковые соединения А3В5 подходящие для создания фотоприёмников с чувствительностью в среднем ИК диапазоне
    • 1.4. Эффект усиления фотопроводимости в гетеропереходах
    • ЦЕЛЬ РАБОТЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧ
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ РАБОТЫ
    • 2.1. Технология изготовления образцов
    • 2.2. Исследование спектральных характеристик
    • 2.3. Исследование вольт-амперных характеристик
    • 2.4. Исследование вольт-фарадных характеристик
  • ГЛАВА 3. ХОД РАБОТЫ, РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБРАБОТКА ПОЛУЧЕННЫХ ДАННЫХ
    • 3.1. Зонная диаграмма исследуемой гетероструктуры
    • 3.2. Спектральные характеристики
    • 3.3. Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики
  • ЗАКЛЮЧЕНИЕ
  • СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Статистика использования

stat Количество обращений: 274
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика