Details
| Title | Исследование эффекта увеличения фотопроводимости в изотипных наногетероструктурах II типа на основе полупроводников А³В⁵: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника |
|---|---|
| Creators | Рехтин Евгений Дмитриевич |
| Scientific adviser | Рыков Сергей Александрович ; Коновалов Глеб Георгиевич |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2018 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Subjects | гетероструктуры ; фоточувствительность ; сигнал фотоотклика ; эффект усиления |
| Document type | Bachelor graduation qualification work |
| File type | |
| Language | Russian |
| Level of education | Bachelor |
| Speciality code (FGOS) | 03.03.01 |
| Speciality group (FGOS) | 030000 - Физика и астрономия |
| Links | Отзыв руководителя |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v18-2250 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\54778 |
| Record create date | 10/29/2018 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
Изучены гетеропереходы II типа. Исследован эффект усиления фотопроводимости в изотипных n-n узкозонных гетероструктурах InAs/InAsSbP. Получены спектральные, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики при температуре Т=77 К. Обнаружено усиление сигнала фотоотклика при малых значениях напряжения смещения. Максимальное значение фоточувствительности зафиксировано на длине волны λ = 1,7 мкм для образца SK-1 #7, и для образца SK-1 #10.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
- СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ
- ВВЕДЕНИЕ
- ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
- 1.1. Фотоприемники, их разновидности, режимы работы
- 1.2. Типы гетеропереходов в полупроводниках
- 1.3. Полупроводниковые соединения А3В5 подходящие для создания фотоприёмников с чувствительностью в среднем ИК диапазоне
- 1.4. Эффект усиления фотопроводимости в гетеропереходах
- ЦЕЛЬ РАБОТЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧ
- ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ РАБОТЫ
- 2.1. Технология изготовления образцов
- 2.2. Исследование спектральных характеристик
- 2.3. Исследование вольт-амперных характеристик
- 2.4. Исследование вольт-фарадных характеристик
- ГЛАВА 3. ХОД РАБОТЫ, РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБРАБОТКА ПОЛУЧЕННЫХ ДАННЫХ
- 3.1. Зонная диаграмма исследуемой гетероструктуры
- 3.2. Спектральные характеристики
- 3.3. Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики
- ЗАКЛЮЧЕНИЕ
- СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
Access count: 274
Last 30 days: 0
