?

Details
Table Card RUSMARC
Title: Исследование эффекта увеличения фотопроводимости в изотипных наногетероструктурах II типа на основе полупроводников А³В⁵: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника
Creators: Рехтин Евгений Дмитриевич
Scientific adviser: Рыков Сергей Александрович; Коновалов Глеб Георгиевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2018
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: гетероструктуры; фоточувствительность; сигнал фотоотклика; эффект усиления
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Bachelor
Speciality code (FGOS): 03.03.01
Speciality group (FGOS): 030000 - Физика и астрономия
Links: Отзыв руководителя
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v18-2250
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: RU\SPSTU\edoc\54778

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Изучены гетеропереходы II типа. Исследован эффект усиления фотопроводимости в изотипных n-n узкозонных гетероструктурах InAs/InAsSbP. Получены спектральные, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики при температуре Т=77 К. Обнаружено усиление сигнала фотоотклика при малых значениях напряжения смещения. Максимальное значение фоточувствительности зафиксировано на длине волны λ = 1,7 мкм для образца SK-1 #7, и для образца SK-1 #10.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ
  • ВВЕДЕНИЕ
  • ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1.1. Фотоприемники, их разновидности, режимы работы
    • 1.2. Типы гетеропереходов в полупроводниках
    • 1.3. Полупроводниковые соединения А3В5 подходящие для создания фотоприёмников с чувствительностью в среднем ИК диапазоне
    • 1.4. Эффект усиления фотопроводимости в гетеропереходах
    • ЦЕЛЬ РАБОТЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧ
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ РАБОТЫ
    • 2.1. Технология изготовления образцов
    • 2.2. Исследование спектральных характеристик
    • 2.3. Исследование вольт-амперных характеристик
    • 2.4. Исследование вольт-фарадных характеристик
  • ГЛАВА 3. ХОД РАБОТЫ, РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБРАБОТКА ПОЛУЧЕННЫХ ДАННЫХ
    • 3.1. Зонная диаграмма исследуемой гетероструктуры
    • 3.2. Спектральные характеристики
    • 3.3. Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики
  • ЗАКЛЮЧЕНИЕ
  • СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Usage statistics

stat Access count: 274
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics