Details

Title Исследование эффекта увеличения фотопроводимости в изотипных наногетероструктурах II типа на основе полупроводников А³В⁵: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника
Creators Рехтин Евгений Дмитриевич
Scientific adviser Рыков Сергей Александрович ; Коновалов Глеб Георгиевич
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2018
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects гетероструктуры ; фоточувствительность ; сигнал фотоотклика ; эффект усиления
Document type Bachelor graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Bachelor
Speciality code (FGOS) 03.03.01
Speciality group (FGOS) 030000 - Физика и астрономия
Links Отзыв руководителя
DOI 10.18720/SPBPU/2/v18-2250
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\54778
Record create date 10/29/2018

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

Изучены гетеропереходы II типа. Исследован эффект усиления фотопроводимости в изотипных n-n узкозонных гетероструктурах InAs/InAsSbP. Получены спектральные, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики при температуре Т=77 К. Обнаружено усиление сигнала фотоотклика при малых значениях напряжения смещения. Максимальное значение фоточувствительности зафиксировано на длине волны λ = 1,7 мкм для образца SK-1 #7, и для образца SK-1 #10.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous
  • СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ
  • ВВЕДЕНИЕ
  • ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1.1. Фотоприемники, их разновидности, режимы работы
    • 1.2. Типы гетеропереходов в полупроводниках
    • 1.3. Полупроводниковые соединения А3В5 подходящие для создания фотоприёмников с чувствительностью в среднем ИК диапазоне
    • 1.4. Эффект усиления фотопроводимости в гетеропереходах
    • ЦЕЛЬ РАБОТЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧ
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ РАБОТЫ
    • 2.1. Технология изготовления образцов
    • 2.2. Исследование спектральных характеристик
    • 2.3. Исследование вольт-амперных характеристик
    • 2.4. Исследование вольт-фарадных характеристик
  • ГЛАВА 3. ХОД РАБОТЫ, РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБРАБОТКА ПОЛУЧЕННЫХ ДАННЫХ
    • 3.1. Зонная диаграмма исследуемой гетероструктуры
    • 3.2. Спектральные характеристики
    • 3.3. Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики
  • ЗАКЛЮЧЕНИЕ
  • СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Access count: 274 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics