С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация

Название: Люминесценция одиночных InP/GaInP квантовых точек: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника
Авторы: Романова Анастасия Юрьевна
Научный руководитель: Шалыгин Вадим Александрович; Лебедев Дмитрий Владимирович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2018
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: квантовые точки; микрофотолюминесценция; ближнепольная микроскопия; наноэлектроника; диамагнитный сдвиг
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 03.03.01
Группа специальностей ФГОС: 030000 - Физика и астрономия
Ссылки: Отзыв руководителя
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v18-2251
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В настоящей работе исследованы спектры излучения от ансамбля и одиночных квантовых точек InP/GaInP при помощи методов микрофотолюминесценции и ближнепольной оптической микроскопии. Эти КТ обладают большими латеральными размерами и низкой плотностью. Определено процентное содержание диффундирующего Ga в квантовой точке InP. Были сняты зависимости спектрального положения линий одиночных точек от величины магнитного поля. По эти зависимостям можно судить о наличии в квантовых точках экситонов и многозарядных комплексов.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 186
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика