Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (3,9 Мб) Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Рассмотрены физические особенности формирования микро- и наноразмерных структур, лежащих в основе современной наноэлектроники, основные технологические методы получения таких структур и перспективы их развития. Большое внимание уделено физическим и технологическим ограничениям на предельные параметры микро- и наноструктур. Реализация технологических процессов рассмотрена на примере МОП-структур интегральных схем с малыми размерами элементов и углеродных наноструктур.
Права на использование объекта хранения
Оглавление
- 3.4. Тонкопленочные резисторы и конденсаторы…………………………111
- Рассмотренные квантовые явления уже используются в разработанных к настоящему времени наноэлектронных элементах для информацио
- Молекулярно-лучевая эпитаксия
- Гетероэпитаксия. Технология "Кремний на изоляторе"
- Рис.3.1. Последовательность операций изготовления двухуровневой
- Al металлизации
- 3.4. ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ РЕЗИСТОРЫ И КОНДЕНСАТОРЫ
Статистика использования
Количество обращений: 6715
За последние 30 дней: 141 Подробная статистика |