Table | Card | RUSMARC | |
Allowed Actions: Read Download (3.9 Mb) Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Рассмотрены физические особенности формирования микро- и наноразмерных структур, лежащих в основе современной наноэлектроники, основные технологические методы получения таких структур и перспективы их развития. Большое внимание уделено физическим и технологическим ограничениям на предельные параметры микро- и наноструктур. Реализация технологических процессов рассмотрена на примере МОП-структур интегральных схем с малыми размерами элементов и углеродных наноструктур.
Table of Contents
- 3.4. Тонкопленочные резисторы и конденсаторы…………………………111
- Рассмотренные квантовые явления уже используются в разработанных к настоящему времени наноэлектронных элементах для информацио
- Молекулярно-лучевая эпитаксия
- Гетероэпитаксия. Технология "Кремний на изоляторе"
- Рис.3.1. Последовательность операций изготовления двухуровневой
- Al металлизации
- 3.4. ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ РЕЗИСТОРЫ И КОНДЕНСАТОРЫ
Usage statistics
Access count: 6676
Last 30 days: 134 Detailed usage statistics |