Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Смоделирован малошумящий транзисторный усилитель на SiGe ГБТ с рабочей частотой 10 ГГц, получены значения ФШ ниже -163 дБ/Гц на частоте отстройки равной 10 кГц. Также для опорного автогенератора с данным усилителем получен уровень ФШ со значением ниже -124 дБ/Гц при нагруженной добротности колебательной системы Qн близкой к 5000 и ниже -133 дБ/Гц при Qн равной 9000.
This paper describes the study of an amplifier with a low level of phase noise using a SiGe transistor. The possibility of using such an amplifier as part of a cheap and compact reference oscillator.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все | |||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ | |||||
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования
Количество обращений: 7
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |