Транзисторный СВЧ-усилитель с низким уровнем фазовых шумов для опорного автогенератора: выпускная квалификационная работа магистра: направление 11.04.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи» ; образовательная программа 11.04.02_03 «Системы и устройства радиотехники и связи»

Маняхина, Полина Ивановна

Details

	Table	Card	RUSMARC

Title:	Транзисторный СВЧ-усилитель с низким уровнем фазовых шумов для опорного автогенератора: выпускная квалификационная работа магистра: направление 11.04.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи» ; образовательная программа 11.04.02_03 «Системы и устройства радиотехники и связи»
Creators:	Маняхина Полина Ивановна
Scientific adviser:	Малышев Виктор Михайлович
Organization:	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint:	Санкт-Петербург, 2019
Collection:	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects:	фазовый шум; усилитель; опорный автогенератор; малошумящий транзистор; phase noise; amplifier; oscillator; low noise transistor
Document type:	Master graduation qualification work
File type:	PDF
Language:	Russian
Level of education:	Master
Speciality code (FGOS):	11.04.02
Speciality group (FGOS):	110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links:	Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI:	10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-1633
Rights:	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key:	ru\spstu\vkr\9307

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Смоделирован малошумящий транзисторный усилитель на SiGe ГБТ с рабочей частотой 10 ГГц, получены значения ФШ ниже -163 дБ/Гц на частоте отстройки равной 10 кГц. Также для опорного автогенератора с данным усилителем получен уровень ФШ со значением ниже -124 дБ/Гц при нагруженной добротности колебательной системы Qн близкой к 5000 и ниже -133 дБ/Гц при Qн равной 9000.

This paper describes the study of an amplifier with a low level of phase noise using a SiGe transistor. The possibility of using such an amplifier as part of a cheap and compact reference oscillator.

Document access rights

	Network		User group		Action
	ILC SPbPU Local Network		All
	Internet		Authorized users SPbPU
	Internet		Anonymous

Usage statistics

Access count: 7
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics