Детальная информация

На 62 с., 43 рисунка, 7 таблиц Объектом исследования является ключевой усилитель мощности на карбид-кремниевых транзисторах. Цель работы состоит в повышении КПД и рабочих частот генераторной ячейки, спроектированной с использованием ключей на основе новых широкозонных материалов. Улучшение данных характеристик может быть осуществлено на основе перехода от кремниевых активных элементов к карбид-кремниевым. В результате выполнения проекта создана PSPICE модель силового модуля на SIC транзисторах, исследована схема генераторной ячейки (ГЯ) на основе данного модуля в двух вариантах реализации: в среде компьютерного моделирования и на реальном макете, аналогичным образом исследована схема ГЯ на основе кремниевых транзисторов, произведено сравнение результатов работы двух схем.

62 pages, 43 pictures, 7 tables The work is devoted to the development of a power amplifier for silicon-carbide transistors. As a result, the values of the energy characteristics are better than in an amplifier with silicon transistors.