Детальная информация

Название: Ключевой усилитель мощности с использованием транзисторов на основе карбида кремния: выпускная квалификационная работа магистра: направление 11.04.01 «Радиотехника» ; образовательная программа 11.04.01_01 «Системы и устройства передачи, приема и обработки сигналов»
Авторы: Шостак Полина Николаевна
Научный руководитель: Сороцкий Владимир Александрович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2019
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: радиопередающее устройство; ключевой усилитель мощности; карбид-кремниевый транзистор; кремниевый транзистор; pspice модель; отечественная элементная база; radio transmitting device; key power amplifier; sic transistor; silicon transistor; pspice model
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Магистратура
Код специальности ФГОС: 11.04.01
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-2070
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Ключ записи: ru\spstu\vkr\9317

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

На 62 с., 43 рисунка, 7 таблиц Объектом исследования является ключевой усилитель мощности на карбид-кремниевых транзисторах. Цель работы состоит в повышении КПД и рабочих частот генераторной ячейки, спроектированной с использованием ключей на основе новых широкозонных материалов. Улучшение данных характеристик может быть осуществлено на основе перехода от кремниевых активных элементов к карбид-кремниевым. В результате выполнения проекта создана PSPICE модель силового модуля на SIC транзисторах, исследована схема генераторной ячейки (ГЯ) на основе данного модуля в двух вариантах реализации: в среде компьютерного моделирования и на реальном макете, аналогичным образом исследована схема ГЯ на основе кремниевых транзисторов, произведено сравнение результатов работы двух схем.

62 pages, 43 pictures, 7 tables The work is devoted to the development of a power amplifier for silicon-carbide transistors. As a result, the values of the energy characteristics are better than in an amplifier with silicon transistors.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать
Внешние организации №2 Все Прочитать
Внешние организации №1 Все
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №2) Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №1)
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 8
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика