Details
| Title | Ключевой усилитель мощности с использованием транзисторов на основе карбида кремния: выпускная квалификационная работа магистра: направление 11.04.01 «Радиотехника» ; образовательная программа 11.04.01_01 «Системы и устройства передачи, приема и обработки сигналов» = Key power amplifier using silicon carbide transistors |
|---|---|
| Creators | Шостак Полина Николаевна |
| Scientific adviser | Сороцкий Владимир Александрович |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2019 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Subjects | радиопередающее устройство ; ключевой усилитель мощности ; карбид-кремниевый транзистор ; кремниевый транзистор ; pspice модель ; отечественная элементная база ; radio transmitting device ; key power amplifier ; sic transistor ; silicon transistor ; pspice model |
| Document type | Master graduation qualification work |
| Language | Russian |
| Level of education | Master |
| Speciality code (FGOS) | 11.04.01 |
| Speciality group (FGOS) | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| Links | Отзыв руководителя ; Рецензия ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований |
| DOI | 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-2070 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Record key | ru\spstu\vkr\9317 |
| Record create date | 9/17/2020 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
На 62 с., 43 рисунка, 7 таблиц Объектом исследования является ключевой усилитель мощности на карбид-кремниевых транзисторах. Цель работы состоит в повышении КПД и рабочих частот генераторной ячейки, спроектированной с использованием ключей на основе новых широкозонных материалов. Улучшение данных характеристик может быть осуществлено на основе перехода от кремниевых активных элементов к карбид-кремниевым. В результате выполнения проекта создана PSPICE модель силового модуля на SIC транзисторах, исследована схема генераторной ячейки (ГЯ) на основе данного модуля в двух вариантах реализации: в среде компьютерного моделирования и на реальном макете, аналогичным образом исследована схема ГЯ на основе кремниевых транзисторов, произведено сравнение результатов работы двух схем.
62 pages, 43 pictures, 7 tables The work is devoted to the development of a power amplifier for silicon-carbide transistors. As a result, the values of the energy characteristics are better than in an amplifier with silicon transistors.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
Access count: 17
Last 30 days: 0
