Details

Title: Ключевой усилитель мощности с использованием транзисторов на основе карбида кремния: выпускная квалификационная работа магистра: направление 11.04.01 «Радиотехника» ; образовательная программа 11.04.01_01 «Системы и устройства передачи, приема и обработки сигналов»
Creators: Шостак Полина Николаевна
Scientific adviser: Сороцкий Владимир Александрович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: радиопередающее устройство; ключевой усилитель мощности; карбид-кремниевый транзистор; кремниевый транзистор; pspice модель; отечественная элементная база; radio transmitting device; key power amplifier; sic transistor; silicon transistor; pspice model
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 11.04.01
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-2070
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

На 62 с., 43 рисунка, 7 таблиц Объектом исследования является ключевой усилитель мощности на карбид-кремниевых транзисторах. Цель работы состоит в повышении КПД и рабочих частот генераторной ячейки, спроектированной с использованием ключей на основе новых широкозонных материалов. Улучшение данных характеристик может быть осуществлено на основе перехода от кремниевых активных элементов к карбид-кремниевым. В результате выполнения проекта создана PSPICE модель силового модуля на SIC транзисторах, исследована схема генераторной ячейки (ГЯ) на основе данного модуля в двух вариантах реализации: в среде компьютерного моделирования и на реальном макете, аналогичным образом исследована схема ГЯ на основе кремниевых транзисторов, произведено сравнение результатов работы двух схем.

62 pages, 43 pictures, 7 tables The work is devoted to the development of a power amplifier for silicon-carbide transistors. As a result, the values of the energy characteristics are better than in an amplifier with silicon transistors.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read
Internet Authorized users SPbPU Read
Internet Authorized users (not from SPbPU)
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 6
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics