С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация

Название: Оптические свойства квантоворазмерных гетероструктур InGaAlAs оптического диапазона 1.55 мкм, выращенных на подложках InP: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника
Авторы: Потапов Александр Юрьевич
Научный руководитель: Паневин Вадим Юрьевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2019
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: фотолюминесценция; квантовые ямы; рекомбинация; легирование; photoluminescence; quantum wells; recombination; doping
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.03.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-2192
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В данной работе представлены результаты исследования оптических свойств полупроводниковых гетероструктур InGaAs/InGaAlAs с квантовыми ямами InGaAs, выращенных на подложке InP, в оптическом диапазоне 1.55 мкм. Представлены результаты исследования влияния примесей на зависимости интегральной фотолюминесценции и ширину спектра от плотности мощности возбуждения. Получены и подвергнуты анализу зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции и ширины спектра от температуры. Обнаружено, что с понижением температуры в спектрах фотолюминесценции у некоторых структур проявляется второй пик.

In this work we present the results of studying the optical properties of InGaAs/InGaAlAs semiconductor heterostructures with InGaAs quantum wells grown on an InP substrate in the optical range of 1.55 μm. The results of the influence of impurities on the dependences of the integrated photoluminescence and width of the spectrum on the excitation power density are presented. The dependences of the integrated photoluminescence intensity and width of the spectrum on temperature were obtained and analyzed. It is observed that lowering of the temperature results in a second peak in photoluminescence spectrum for some structures.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 51
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика