С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация

Название: Электролюминесценция светодиодов на основе асимметричной двойной гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP: выпускная квалификационная работа магистра: 11.04.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.04.04_01 - Микроэлектроника и наноэлектроника
Авторы: Белых Игорь Алексеевич
Научный руководитель: Гаврикова Татьяна Андреевна
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2019
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Люминесценция; Диоды светоизлучающие; гетероструктура; межзонная рекомбинация; средний инфракрасный диапазон
УДК: 535.37(043.3); 621.383(043.3)
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.04.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-2293
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений выращены асимметричные двойные гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP. На основе гетероструктур были созданы светодиоды двух типов (А и В) с длиной волны в максимуме спектра излучения 4.1 мкм и 4.7 мкм, соответственно. Исследованы их вольт–амперные и электролюминесцентные характеристики при комнатной температуре. Разработанные светодиоды могут быть использованы как высокоэффективные источники излучения в оптических абсорбционных сенсорах, предназначенных для регистрации углекислого и угарного газов в атмосфере.

Asymmetrical double InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructures are grown by metalorganic vapor-phase epitaxy. Two types of light–emitting diodes (A and B) were created on basis of grown heterostructures with emission peak at 4.1 μm and 4.7 μm, respectively. The current–voltage and electroluminescent characteristics of light–emitting diodes are investigated at room temperature. The developed light–emitting diodes can be used as high-effective radiation sources in optical absorption sensors for detection of carbon dioxide and carbon monoxide in the atmosphere.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать
-> Интернет Анонимные пользователи

Оглавление

  • Глава 1. Светоизлучающие диоды для спектрального диапазона 4-5 мкм
    • 1.1. Бинарные соединения InAs, InSb и InP
    • 1.2. Многокомпонентные твёрдые растворы InAsSb и InAsSbP
    • 1.3. Типы переходов в гетероструктурах
    • 1.4. Механизмы протекания тока в гетероструктурах
    • 1.5. Механизмы межзонной рекомбинации в гетероструктурах
    • 1.6. Люминесцентные свойства светодиодов на основе системы твёрдых растворов In-As-Sb-P, работающих в спектральном диапазоне 4-5 мкм
    • 1.7. Постановка задачи
  • Глава 2. Методики создания и исследования гетероструктур
    • 2.1. Подготовка образцов
  • 2.2. Методика исследования светодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP
    • 2.2.1. Установка для измерения вольт-амперных характеристик светодиодов
    • 2.2.2. Установка для измерения электролюминесцентных характеристик светодиодов
    • 2.2.3. Определение оптической мощности излучения светодиодов
  • Глава 3. Экспериментальные результаты и их обсуждение
    • 3.1. Определение положения p-n перехода в светодиодных гетероструктурах
    • 3.2. Зонные диаграммы светодиодных гетероструктур
    • 3.3. Вольт-амперные характеристики светодиодных гетероструктур
    • 3.4. Электролюминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур
      • 3.4.1. Спектры электролюминесценции
      • 3.4.2. Ватт-амперные характеристики при квазинепрерывном режиме питания
      • 3.4.3. Ватт-амперные характеристики при импульсных режимах питания
  • Заключение
  • Список литературы

Статистика использования

stat Количество обращений: 0
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика