С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details

Title: Электролюминесценция светодиодов на основе асимметричной двойной гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP: выпускная квалификационная работа магистра: 11.04.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.04.04_01 - Микроэлектроника и наноэлектроника
Creators: Белых Игорь Алексеевич
Scientific adviser: Гаврикова Татьяна Андреевна
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Люминесценция; Диоды светоизлучающие; гетероструктура; межзонная рекомбинация; средний инфракрасный диапазон
UDC: 535.37(043.3); 621.383(043.3)
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 11.04.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-2293
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений выращены асимметричные двойные гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP. На основе гетероструктур были созданы светодиоды двух типов (А и В) с длиной волны в максимуме спектра излучения 4.1 мкм и 4.7 мкм, соответственно. Исследованы их вольт–амперные и электролюминесцентные характеристики при комнатной температуре. Разработанные светодиоды могут быть использованы как высокоэффективные источники излучения в оптических абсорбционных сенсорах, предназначенных для регистрации углекислого и угарного газов в атмосфере.

Asymmetrical double InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructures are grown by metalorganic vapor-phase epitaxy. Two types of light–emitting diodes (A and B) were created on basis of grown heterostructures with emission peak at 4.1 μm and 4.7 μm, respectively. The current–voltage and electroluminescent characteristics of light–emitting diodes are investigated at room temperature. The developed light–emitting diodes can be used as high-effective radiation sources in optical absorption sensors for detection of carbon dioxide and carbon monoxide in the atmosphere.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read
Internet Authorized users Read
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • Глава 1. Светоизлучающие диоды для спектрального диапазона 4-5 мкм
    • 1.1. Бинарные соединения InAs, InSb и InP
    • 1.2. Многокомпонентные твёрдые растворы InAsSb и InAsSbP
    • 1.3. Типы переходов в гетероструктурах
    • 1.4. Механизмы протекания тока в гетероструктурах
    • 1.5. Механизмы межзонной рекомбинации в гетероструктурах
    • 1.6. Люминесцентные свойства светодиодов на основе системы твёрдых растворов In-As-Sb-P, работающих в спектральном диапазоне 4-5 мкм
    • 1.7. Постановка задачи
  • Глава 2. Методики создания и исследования гетероструктур
    • 2.1. Подготовка образцов
  • 2.2. Методика исследования светодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP
    • 2.2.1. Установка для измерения вольт-амперных характеристик светодиодов
    • 2.2.2. Установка для измерения электролюминесцентных характеристик светодиодов
    • 2.2.3. Определение оптической мощности излучения светодиодов
  • Глава 3. Экспериментальные результаты и их обсуждение
    • 3.1. Определение положения p-n перехода в светодиодных гетероструктурах
    • 3.2. Зонные диаграммы светодиодных гетероструктур
    • 3.3. Вольт-амперные характеристики светодиодных гетероструктур
    • 3.4. Электролюминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур
      • 3.4.1. Спектры электролюминесценции
      • 3.4.2. Ватт-амперные характеристики при квазинепрерывном режиме питания
      • 3.4.3. Ватт-амперные характеристики при импульсных режимах питания
  • Заключение
  • Список литературы

Usage statistics

stat Access count: 30
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics