Table | Card | RUSMARC | |
Allowed Actions: –
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
В ходе работы ёмкостными методами был исследован p+-n0-n+ диод на основе GaN. Из спектров нестационарной спектроскопии глубоких уровней были обнаружены две глубокие ловушки, связанные с особенностями эпитаксиального роста GaN материалов. Также из измерений адмиттанс спектроскопии была обнаружена мелкая низкотемпературная ловушка, ранее наблюдаемая только в спектрах фотолюминесценции. Эта ловушка предположительно связана с образованием в процессе роста методом МОГФЭ комплекса вакансии азота и атома водорода.
In this work, a p+-n0-n+ diode based on GaN was investigated by capacitance techniques. From DLTS measurements two well-known deep levels were found. Also, shallow donor level from admittance spectra was found at low temperature, which was observed previously only in the photoluminescence spectra. Presumably, this trap is related to the complex of nitrogen vacancy and a hydrogen atom, that was formed during the MOCVD epitaxial growth.
Document access rights
Network | User group | Action | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All | |||||
Internet | Authorized users SPbPU | |||||
Internet | Anonymous |
Usage statistics
Access count: 24
Last 30 days: 0 Detailed usage statistics |