Гиндина, Маргарита Игоревна. Ёмкостные исследования дефектов в p+-n0-n+ диодах [Электронный ресурс]: выпускная квалификационная работа бакалавра: 03.03.02 - Физика ; 03.03.02_08 - Физика и технология наноструктур = Capacitance studies of deep level defects in p+-n0-n+ diodes / М. И. Гиндина; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. В. В. Журихина. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,5 Мб). — Санкт-Петербург, 2019. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/vr19-2516.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-2516>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-2516-o.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-2516-r.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-2516-a.pdf>.
Period
|
Read
|
Print
|
Copy
|
Open
|
Total
|
Year 2019
|
10
|
0
|
5
|
0
|
15
|
Year 2020
|
3
|
0
|
5
|
0
|
8
|
Year 2021
|
0
|
0
|
1
|
0
|
1
|
Total
|
13
|
0
|
11
|
0
|
24
|