Детальная информация

Название: Исследование схем источников опорных напряжений, используемых в КМОП-технологиях: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.04 Электроника и наноэлектроника ; образовательная программа 11.03.04_03 Интегральная электроника и наноэлектроника
Авторы: Андрущенко Юрий Александрович
Научный руководитель: Морозов Дмитрий Валерьевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2019
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: источник опорного напряжения; источник стабилизированного напряжения; токовое зеркало; дифференциальный усилитель; комплементарный металл-оксид-полупроводник; металл-оксид-полупроводник транзистор; voltage reference; voltage source; current mirror; differential amplifier; complimentary metal-oxide-semiconductor; metal-oxide-semiconductor transistor
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.03.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-2548
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Объектом исследования является источник опорного напряжения. Цель работы - исследование схем источников опорных напряжений, используемых в КМОП-технологиях. Проведен обзор литературы о принципах работы, схемах, достоинствах и недостатках источников опорного напряжения. Разработан источник опорного напряжения и источник стабилизированного напряжения на его основе. Оценено изменение характеристик источников от влияния внешних воздействий, таких как температура и напряжение питания, а также изменения параметров резисторов. Отклонения опорного напряжения составили не более ±5%.

This work presents an overview of voltage references realized in CMOS process. The voltage reference and the voltage source have been developed. Voltage deviations have not exceeded ±5 percent.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 23
За последние 30 дней: 1
Подробная статистика