Details

Title Исследование схем источников опорных напряжений, используемых в КМОП-технологиях: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.04 Электроника и наноэлектроника ; образовательная программа 11.03.04_03 Интегральная электроника и наноэлектроника
Creators Андрущенко Юрий Александрович
Scientific adviser Морозов Дмитрий Валерьевич
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2019
Collection Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects источник опорного напряжения; источник стабилизированного напряжения; токовое зеркало; дифференциальный усилитель; комплементарный металл-оксид-полупроводник; металл-оксид-полупроводник транзистор; voltage reference; voltage source; current mirror; differential amplifier; complimentary metal-oxide-semiconductor; metal-oxide-semiconductor transistor
Document type Bachelor graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Bachelor
Speciality code (FGOS) 11.03.04
Speciality group (FGOS) 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-2548
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key ru\spstu\vkr\5111
Record create date 1/17/2020

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

Объектом исследования является источник опорного напряжения. Цель работы - исследование схем источников опорных напряжений, используемых в КМОП-технологиях. Проведен обзор литературы о принципах работы, схемах, достоинствах и недостатках источников опорного напряжения. Разработан источник опорного напряжения и источник стабилизированного напряжения на его основе. Оценено изменение характеристик источников от влияния внешних воздействий, таких как температура и напряжение питания, а также изменения параметров резисторов. Отклонения опорного напряжения составили не более ±5%.

This work presents an overview of voltage references realized in CMOS process. The voltage reference and the voltage source have been developed. Voltage deviations have not exceeded ±5 percent.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 24 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics