Details

Title Исследование поверхности эмиссионно-активных тонкопленочных структур методами зондовой микроскопии и спектроскопии: выпускная квалификационная работа бакалавра: 16.03.01 - Техническая физика ; 16.03.01_10 - Физическая и биомедицинская электроника
Creators Галкина Александра Вячеславовна
Scientific adviser Габдуллин Павел Гарифович
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2019
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects сканирующая туннельная микроскопия ; полевая эмиссия ; тонкие пленки молибдена ; тонкие пленки углерода ; вольт-амперные характеристики туннельного контакта ; фотопроводимость ; scanning tunneling microscopy ; field emission ; thin films of molybdenum ; thin film of carbon ; current-voltage characteristics of a tunneling contact ; photoconductivity
Document type Bachelor graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Bachelor
Speciality code (FGOS) 16.03.01
Speciality group (FGOS) 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links Отзыв руководителя ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-3147
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key ru\spstu\vkr\2795
Record create date 10/4/2019

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

В ходе данной работы было проведено изучение топографии поверхности тонких углеродных пленок, а также тонких пленок молибдена. Для тонких пленок молибдена были получены вольт-амперные характеристики разных точках образца, была изучена фоточувствительность островковых структур образца. По данным вольт-амперных характеристик были рассчитаны туннельные спектры.

In the course of this work, surface topography of the thin carbon films and thin molybdenum films was investigated. For thin films of molybdenum, the volt-ampere characteristics of different points of the sample were obtained, and the photosensitivity of islet structures of the sample was studied. According to the current-voltage characteristics, calculations of tunneling spectra were performed.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 46 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics