Details
| Title | Широкополосные флип-чип фотоприемники на основе гетероструктур из твердых растворов InAs (λ=3-5 мкм): выпускная квалификационная работа бакалавра: 03.03.02 - Физика ; 03.03.02_08 - Физика и технология наноструктур |
|---|---|
| Creators | Климов Александр Алексеевич |
| Scientific adviser | Жуков Алексей Евгеньевич |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2019 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Subjects | фотодиоды InAs ; фотодиоды InAsSb ; фотодиоды 3-5 мкм ; гетероструктура InAsSb/InAsSbP ; InAs photodiode ; InAsSb photodiode ; photodiode 3-5 μm ; heterostucture ; InAsSb/InAsSbP ; double heterostructure InAsSb/InAsSbP ; solid solution InAsSb ; mid-IR photodiode |
| Document type | Bachelor graduation qualification work |
| File type | |
| Language | Russian |
| Level of education | Bachelor |
| Speciality code (FGOS) | 03.03.02 |
| Speciality group (FGOS) | 030000 - Физика и астрономия |
| Links | Приложение ; Отзыв руководителя ; Рецензия ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований |
| DOI | 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-3265 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | ru\spstu\vkr\3107 |
| Record create date | 10/9/2019 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
Работа посвящена разработке и исследованию диодных фотоприемников на основе гетероструктур N-InAsSbP/n-InAs(Sb)/P-InAsSbP с длинноволновой границей фоточувствительности ~ 4 и 5 мкм. В ходе выполнения работы предложены конструктивные решения, позволившие получить фотоприемники флип-чип конструкции, с полностью удаленной подложкой, работающие в средней ИК области спектра, характеризующиеся широкополосным спектром фотответа и квантовой эффективностью близкой к предельным значениям (QE=0.6); матричные фотоприемники небольшой размерности, в которых разделение чипа на одиночные элементы, происходящее при удалении подложки приводит к отсутствию перекрестного влияния элементов друг на друга.
N-InAsSbP/InAs/P-InAsSbP double heterostructures have been grown onto n+-InAs substrate and further processed into 2×2 photodiode array containing no n+-InAs. Spectral response and current-voltage curve in the 77-300 K temperature range have been measured and used for photodiode characterization including D*(λ) and BLIP temperature evaluation.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
- BakalavrSasha_fin1
- BakalavrSasha_fin2
Access count: 50
Last 30 days: 0
