С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details

Title: Широкополосные флип-чип фотоприемники на основе гетероструктур из твердых растворов InAs (λ=3-5 мкм): выпускная квалификационная работа бакалавра: 03.03.02 - Физика ; 03.03.02_08 - Физика и технология наноструктур
Creators: Климов Александр Алексеевич
Scientific adviser: Жуков Алексей Евгеньевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт промышленного менеджмента, экономики и торговли
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: фотодиоды InAs; фотодиоды InAsSb; фотодиоды 3-5 мкм; гетероструктура InAsSb/InAsSbP; InAs photodiode; InAsSb photodiode; photodiode 3-5 μm; heterostucture; InAsSb/InAsSbP; double heterostructure InAsSb/InAsSbP; solid solution InAsSb; mid-IR photodiode
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 03.03.02
Speciality group (FGOS): 030000 - Физика и астрономия
Links: Приложение; Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-3265
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Работа посвящена разработке и исследованию диодных фотоприемников на основе гетероструктур N-InAsSbP/n-InAs(Sb)/P-InAsSbP с длинноволновой границей фоточувствительности ~ 4 и 5 мкм. В ходе выполнения работы предложены конструктивные решения, позволившие получить фотоприемники флип-чип конструкции, с полностью удаленной подложкой, работающие в средней ИК области спектра, характеризующиеся широкополосным спектром фотответа и квантовой эффективностью близкой к предельным значениям (QE=0.6); матричные фотоприемники небольшой размерности, в которых разделение чипа на одиночные элементы, происходящее при удалении подложки приводит к отсутствию перекрестного влияния элементов друг на друга.

N-InAsSbP/InAs/P-InAsSbP double heterostructures have been grown onto n+-InAs substrate and further processed into 2×2 photodiode array containing no n+-InAs. Spectral response and current-voltage curve in the 77-300 K temperature range have been measured and used for photodiode characterization including D*(λ) and BLIP temperature evaluation.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • BakalavrSasha_fin1
  • BakalavrSasha_fin2

Usage statistics

stat Access count: 49
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics