Данная работа посвящена экспериментальному и численному исследованию высокочастотного емкостного (ВЧЕ) разряда, предназначенного для травления тонких пленок нитрида кремния и оксида кремния. Основной целью данной работы является исследование влияния гелия в газоразрядной плазме в смеси Не/SF6/H2 на степень диссоциации SF6 и H2, скорости травления нитрида и оксида кремния. Анализ оптических спектров и результаты численного моделирования плазмы свидетельствуют о существенном влиянии гелия на диссоциацию водорода, что в свою очередь сказывается на скорости травления нитрида кремния.

A present work is aimed at experimental and numerical study of capacitively coupled radio frequency (RF) discharge properties for silicon nitride and silicon dioxide thin films etching. The main goal of this work is study of the effect of helium addition to the Не/SF6/H2 mixture on the SF6 and H2 dissociation degree, nitride and silicon dioxide etching rates. Analysis of optical emission spectra and numerical plasma simulation results demonstrate that helium addition significantly affects hydrogen dissociation rate, and thus silicon nitride etching rate.

• Введение
• Обзор литературы
  • Селективное травление
  • Плазменное травление нитрида кремния
  • Методы диагностики плазмы
    • Оптическая спектрометрия
    • Актинометрия
  • Моделирование плазмы.
    • Гидродинамическое приближение
  • Выводы из обзора литературы и постановка задачи
• Описание установки
  • Описание разрядной камеры.
  • Измерение спектра излучения плазмы.
  • Диагностика скорости травления.
• Результаты измерений
• Моделирование и его результаты
• Заключение
• Список литературы