?

Детальная информация
Таблица Карточка RUSMARC
Название: Сверхширокополосный усилитель мощности сантиметрового диапазона волн на GaN-транзисторах: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.01 «Радиотехника» ; образовательная программа 11.03.01_01 «Космические и наземные радиотехнические системы»
Авторы: Новопашин Егор Игоревич
Научный руководитель: Никитин Александр Борисович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2019
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: усилитель мощности; коэффициент усиления; микрополосковые линии; нагрузочные кривые; power amplifier; gain; microstrip lines; load lines
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Бакалавриат
Код специальности ФГОС: 11.03.01
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-4016
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: ru\spstu\vkr\9326

Разрешенные действия: –

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В данной работе рассматривается разработка сверхширокополосного усилителя мощности на основе GaN транзисторов, работающего на полосе частот от 6 ГГц до 18 ГГц с выходной мощностью 10 Вт. На основе исследования нагрузочных характеристик транзистора осуществляется построение входных и выходных согласующих цепей усилителя мощности в микрополосковом исполнении. Проводится сравнительный анализ различных вариантов схем УМ.

This graduate qualification work examines the development of allpass amplifier based on GaN transistors. GaN transistors operate in the frequency range from 6 GHz to 18 GHz with an output power of 10W. Based on the study of the load characteristics of the transistor, the input and output matching circuits of the power amplifier are constructed in a microstrip design. The comparative analysis of different variants of PA schemes is carried out.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Оглавление

  • ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА БАКАЛАВРА СВЕРХШИРОКОПОЛОСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ САНТИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА ВОЛН НА GaN-ТРАНЗИСТОРАХ
  • РЕФЕРАТ
  • THE ABSTRACT
  • СОДЕРЖАНИЕ
  • ВВЕДЕНИЕ
  • ГЛАВА 1. УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ СВЧ
  • 1.2. Основные параметры GaN-транзисторов
  • 1.3. Схемы широкополосных усилителей мощности сантиметрового диапазона
  • 1.4. Цель и задачи работы
  • ГЛАВА 2. НАГРУЗОЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ GаN-
  • 2.1. Модель транзистора
  • 2.2. Методика моделирования нагрузочных характеристик транзистора
  • ГЛАВА 3. ВХОДНЫЕ И ВЫХОДНЫЕ ЦЕПИ СОГЛАСОВАНИЯ УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ НА СОСРЕДОТОЧЕННЫХ ЭЛЕМЕНТАХ
  • 3.1. Входная согласующая цепь
  • 3.2. Выходная согласующая цепь
  • ГЛАВА 4. ВХОДНЫЕ И ВЫХОДНЫЕ ЦЕПИ СОГЛАСОВАНИЯ УМ НА МИКРОПОЛОСКОВЫХ ЛИНИЯХ
  • 4.1. Входная согласующая цепь на микрополосковых линиях
  • 4.2. Однокаскадный модуль усилителя мощности
  • 4.3. Двухкаскадная схема усилителя мощности на микрополосковых линиях
  • ГЛАВА 5. РАЗРАБОТКА МИКРОПОЛОСКОВОЙ СХЕМЫ УМ
  • 5.1. Выбор структуры усилителя мощности
  • 5.2. Схема на основе сумматоров квадратурного типа
  • 5.3. Схема на основе синфазных сумматоров
  • ЗАКЛЮЧЕНИЕ
  • СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Статистика использования

stat Количество обращений: 7
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика