?

Details
Table Card RUSMARC
Title: Исследование эффектов намагничивания методом электронного спинового резонанса в Si:P, компенсированном радиационными дефектами: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника
Creators: Таланин Алексей Андреевич
Scientific adviser: Гаврикова Татьяна Андреевна
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: парамагнитная восприимчивость; намагниченность; спин; ферромагнитный порядок; магнитосопротивление; компенсация примеси; paramagnetic susceptibility; magnetization; spin; ferromagnetic order; magnetoresistance; compensation of impurity
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Bachelor
Speciality code (FGOS): 11.03.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-4065
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: ru\spstu\vkr\1405

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Объект исследования: образец Si:P, компенсированный радиационными дефектами. Цель работы: исследование электронного парамагнитного резонанса и магнитосопротивления в образце Si:P, компенсированном радиационными дефектами. Метод: электронный парамагнитный резонанс. Результаты: получен и проведён анализ сигнала ЭПР и магнитосопротивления. Выявлены механизмы, ответственные за образование ферромагнитного порядка в кремнии, легированном фосфором и компенсированном радиационными дефектами.

Object of research: sample Si doped P and compensated by radiation defects. Objective: research of electron spin resonance and magnetoresistance phenomenon in sample Si:P. Methods: electron spin resonance. Results: electron spin resonance and magnetoresistance phenomenon were obtained and analyzed. Identified mechanism of appearance of ferromagnetic order in Si doped P and compensated by radiation defects.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 58
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics