Details

Title Исследование эффектов намагничивания методом электронного спинового резонанса в Si:P, компенсированном радиационными дефектами: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника
Creators Таланин Алексей Андреевич
Scientific adviser Гаврикова Татьяна Андреевна
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2019
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects парамагнитная восприимчивость ; намагниченность ; спин ; ферромагнитный порядок ; магнитосопротивление ; компенсация примеси ; paramagnetic susceptibility ; magnetization ; spin ; ferromagnetic order ; magnetoresistance ; compensation of impurity
Document type Bachelor graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Bachelor
Speciality code (FGOS) 11.03.04
Speciality group (FGOS) 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links Отзыв руководителя ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-4065
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key ru\spstu\vkr\1405
Record create date 8/26/2019

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

Объект исследования: образец Si:P, компенсированный радиационными дефектами. Цель работы: исследование электронного парамагнитного резонанса и магнитосопротивления в образце Si:P, компенсированном радиационными дефектами. Метод: электронный парамагнитный резонанс. Результаты: получен и проведён анализ сигнала ЭПР и магнитосопротивления. Выявлены механизмы, ответственные за образование ферромагнитного порядка в кремнии, легированном фосфором и компенсированном радиационными дефектами.

Object of research: sample Si doped P and compensated by radiation defects. Objective: research of electron spin resonance and magnetoresistance phenomenon in sample Si:P. Methods: electron spin resonance. Results: electron spin resonance and magnetoresistance phenomenon were obtained and analyzed. Identified mechanism of appearance of ferromagnetic order in Si doped P and compensated by radiation defects.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 58 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics