Детальная информация
Название | Исследование порфириновых структур с помощью сканирующего туннельного микроскопа: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника |
---|---|
Авторы | Ариас Муньоз Хуан Камило |
Научный руководитель | Рыков Сергей Александрович |
Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2019 |
Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
Тематика | сканирующая туннельная микроскопия ; игла-зонд ; туннельный ток ; рельеф ; локальный туннельный спектр ; наностержни ; напряжение смещения ; порфирин ; scanning tunneling microscopy ; tip-probe ; tunnel current ; relief ; local tunneling spectrum ; nanorods ; bias voltage ; porphyrin |
Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Уровень высшего образования | Бакалавриат |
Код специальности ФГОС | 11.03.04 |
Группа специальностей ФГОС | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
Ссылки | Отзыв руководителя ; Рецензия ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований |
DOI | 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-4822 |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | ru\spstu\vkr\1935 |
Дата создания записи | 11.09.2019 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа | Анонимные пользователи |
---|---|
Сеть | Интернет |
С помощью сканирующего туннельного микроскопа изучены особенности топографии поверхности пленка порфирина на кристалле графита и локальные вольтамперные характеристики при комнатных условии. Получены изображения топографии в масштабах от несколько нанометров до 4 мкм. Локальные вольтамперные характеристики, измеренные при разных напряжении смещения и разных направлениях его развертки свидетельствуют о наличии метастабильных электронных состояний в порфирине.
Features of the surface topography of the porphyrin film on the graphite crystal substrate and the local current-voltage characteristics were studied using a scanning tunneling microscope at ambient conditions. STM images of surface were acquired at scale from some nanometers to 4 micrometers. The local current-voltage characteristics at different bias voltages scale and at different directions of scaling indicate the existence of the metastable electron states in porphyrin.
Место доступа | Группа пользователей | Действие |
---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 34
За последние 30 дней: 0