Детальная информация

Название: Исследование и разработка технологического процесса лазерной резки нитрида галлия: выпускная квалификационная работа магистра: 16.04.01 - Техническая физика ; 16.04.01_01 - Физика и техника полупроводников
Авторы: Пашаев Абдулла Магомедович
Научный руководитель: Шретер Юрий Георгиевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2019
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Галлий, нитриды; Лазерная резка; оптимальные параметры резки; широкозонные материалы; устаревшие технологии резки; интенсивность фокусируемого пучка
УДК: 621.791.947.2(043.3)
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 16.04.01
Группа специальностей ФГОС: 160000 - Физико-технические науки и технологии
Ссылки: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-4927
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В данной работе затронута проблема, касающаяся использования в современной индустрии таких материалов, как сапфир, кремний, алмаз, нитрид галлия. Это твердотельные полупроводниковые приборы, свч приборы, элементы оптики, микро и оптоэлектроники. В данной работе рассматривался процесс прорезания канавок для отведения газов при отделении пленки GaN. Также в работе проводились эксперименты над пленками выращенными методом HVPE и MOCVD. В производстве подобных приборов резка является одной из ключевых операций. Проведенные обзор и анализ, показывают, что внедрение технологий лазерной обработки(резки) в ряд производственных процессов для изготовления электронных изделий на базе полупроводниковых пластин позволяет резко повысить производительность и увеличить выход годной продукции.

This paper touches upon the problem of the use of such materials as sapphire, silicon, diamond, gallium nitride in the modern industry. These are solid-state semiconductor devices, microwave devices, optical elements, micro and optoelectronics. In this paper, the process of cutting the grooves for the discharge of gases during the separation of the GaN film was considered. Also, experiments with films grown by the HVPE method and MOCVD were carried out. Cutting is one of the key operations in the production of such devices. The review and analysis carried out show that the introduction of laser processing (cutting) technologies into a number of industrial processes for the manufacture of electronic products based on semiconductor wafers makes it possible to dramatically increase productivity and increase the yield of usable products.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Оглавление

  • ВВЕДЕНИЕ
  • Глава 1 . СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ И ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ РЕЗКИ КРИСТАЛЛОВ,ИХ ПРЕИМУЩЕСТВА И НЕДОСТАТКИ.
  • 1.1. Теоретические основы лазерной резки нитрида галлия и преимущества перед традиционными механическими методами резки
  • 2.5. Цели и задачи

Статистика использования

stat Количество обращений: 50
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика