Детальная информация
| Название | Исследование схем ключей, используемых в КМОП-технологии: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.04 Электроника и наноэлектроника ; образовательная программа 11.03.04_03 Интегральная электроника и наноэлектроника |
|---|---|
| Авторы | Саковец Михаил Валерьевич |
| Научный руководитель | Морозов Дмитрий Валерьевич |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2019 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | комплементарный металл-оксид-полупроводник ; ключ ; нелинейные искажения ; сопротивление ключа ; устройство выборки и хранения ; complementary metal oxide semiconductor ; switch ; nonliner distortions ; switch resistance ; sample and hold divice |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Бакалавриат |
| Код специальности ФГОС | 11.03.04 |
| Группа специальностей ФГОС | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| Ссылки | Отзыв руководителя ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований |
| DOI | 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-4955 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Ключ записи | ru\spstu\vkr\5186 |
| Дата создания записи | 17.01.2020 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Объектами исследования являются схемы ключей. Цель работы – исследование схем ключей, используемых в КМОП технологиях. Был проведен анализ литературы об особенностях комплементарной метал-оксид-полупроводник (КМОП)-технологии. В процессе работы исследовались схемы ключей на n- и p-канальных метал-оксид-полупроводник (МОП)-транзисторах, КМОП-транзисторах и схема ключа с уменьшенным сопротивлением в диапазоне входных напряжений, а также проведены моделирование во временной области для оценки основных характеристик.
This paper presents the analysis and simulation results of switches. Design of the switch with a reduced range of resistance has been developed. The resulting cir-cuit has less resistance and nonlinear distortion in comparison with n-MOS, p-MOS, and CMOS switches.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 23
За последние 30 дней: 0
