Details
| Title | Исследование схем ключей, используемых в КМОП-технологии: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.04 Электроника и наноэлектроника ; образовательная программа 11.03.04_03 Интегральная электроника и наноэлектроника |
|---|---|
| Creators | Саковец Михаил Валерьевич |
| Scientific adviser | Морозов Дмитрий Валерьевич |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2019 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Subjects | комплементарный металл-оксид-полупроводник ; ключ ; нелинейные искажения ; сопротивление ключа ; устройство выборки и хранения ; complementary metal oxide semiconductor ; switch ; nonliner distortions ; switch resistance ; sample and hold divice |
| Document type | Bachelor graduation qualification work |
| File type | |
| Language | Russian |
| Level of education | Bachelor |
| Speciality code (FGOS) | 11.03.04 |
| Speciality group (FGOS) | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| Links | Отзыв руководителя ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований |
| DOI | 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-4955 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Record key | ru\spstu\vkr\5186 |
| Record create date | 1/17/2020 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
Объектами исследования являются схемы ключей. Цель работы – исследование схем ключей, используемых в КМОП технологиях. Был проведен анализ литературы об особенностях комплементарной метал-оксид-полупроводник (КМОП)-технологии. В процессе работы исследовались схемы ключей на n- и p-канальных метал-оксид-полупроводник (МОП)-транзисторах, КМОП-транзисторах и схема ключа с уменьшенным сопротивлением в диапазоне входных напряжений, а также проведены моделирование во временной области для оценки основных характеристик.
This paper presents the analysis and simulation results of switches. Design of the switch with a reduced range of resistance has been developed. The resulting cir-cuit has less resistance and nonlinear distortion in comparison with n-MOS, p-MOS, and CMOS switches.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
Access count: 23
Last 30 days: 0
