С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details

Title: Исследование схем ключей, используемых в КМОП-технологии: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.04 Электроника и наноэлектроника ; образовательная программа 11.03.04_03 Интегральная электроника и наноэлектроника
Creators: Саковец Михаил Валерьевич
Scientific adviser: Морозов Дмитрий Валерьевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт промышленного менеджмента, экономики и торговли
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: комплементарный металл-оксид-полупроводник; ключ; нелинейные искажения; сопротивление ключа; устройство выборки и хранения; complementary metal oxide semiconductor; switch; nonliner distortions; switch resistance; sample and hold divice
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 11.03.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-4955
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Объектами исследования являются схемы ключей. Цель работы – исследование схем ключей, используемых в КМОП технологиях. Был проведен анализ литературы об особенностях комплементарной метал-оксид-полупроводник (КМОП)-технологии. В процессе работы исследовались схемы ключей на n- и p-канальных метал-оксид-полупроводник (МОП)-транзисторах, КМОП-транзисторах и схема ключа с уменьшенным сопротивлением в диапазоне входных напряжений, а также проведены моделирование во временной области для оценки основных характеристик.

This paper presents the analysis and simulation results of switches. Design of the switch with a reduced range of resistance has been developed. The resulting cir-cuit has less resistance and nonlinear distortion in comparison with n-MOS, p-MOS, and CMOS switches.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read
Internet Authorized users Read
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 11
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics