Детальная информация
Название | Численное моделирование течения многокомпонентной реагирующей смеси газов в CCS реакторе при МОС-гидридном осаждении InAlN слоев: выпускная квалификационная работа бакалавра: 03.03.01 - Прикладные математика и физика ; 03.03.01_01 - Математическое и экспериментальное моделирование в механике сплошных сред |
---|---|
Авторы | Логинова Ксения Евгеньевна |
Научный руководитель | Левченя Александр Михайлович |
Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт прикладной математики и механики |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2019 |
Коллекция | Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция |
Тематика | численное моделирование; эпитаксия; МОГФЭ; модели роста; полупроводники III-V; numerical simulation; epitaxy; MOCVD; growth models; semiconducting III-V materials |
Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Уровень высшего образования | Бакалавриат |
Код специальности ФГОС | 03.03.01 |
Группа специальностей ФГОС | 030000 - Физика и астрономия |
Ссылки | Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований |
DOI | 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-5632 |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | ru\spstu\vkr\4192 |
Дата создания записи | 01.11.2019 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа | Анонимные пользователи |
---|---|
Сеть | Интернет |
В данной работе представлены результаты численного моделирования металлорганической газофазной эпитаксии в реакторе CCS с использованием трёх различных кинетических моделей поверхностной химии, описывающих нежелательное встраивание галлия в слои InAl(Ga)N. Был проведен анализ основных экспериментальных тенденций. При моделировании варьировались ростовые параметры для оценки влияния на парциальную скорость роста GaN. По результатам расчетов определены наиболее вероятные механизмы встраивания галлия в тонкие пленки и даны рекомендации к практическому использованию моделей роста.
This paper presents the results of numerical simulation of metalorganic vapour-phase epitaxy in Close Coupled Showerhead reactor using three different kinetic models of surface chemistry, describing the unintentional incorporation of gallium into InAl(Ga)N layers. An analysis of the main experimental trends was carried out. In the simulation, the growth conditions were varied to estimate the effect on the partial growth rate of GaN. Based on the calculation results, the most probable mechanisms for gallium incorporation into thin films were determined and discussed.
Место доступа | Группа пользователей | Действие |
---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 27
За последние 30 дней: 0