С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details

Title: Численное моделирование течения многокомпонентной реагирующей смеси газов в CCS реакторе при МОС-гидридном осаждении InAlN слоев: выпускная квалификационная работа бакалавра: 03.03.01 - Прикладные математика и физика ; 03.03.01_01 - Математическое и экспериментальное моделирование в механике сплошных сред
Creators: Логинова Ксения Евгеньевна
Scientific adviser: Левченя Александр Михайлович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт прикладной математики и механики
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: численное моделирование; эпитаксия; МОГФЭ; модели роста; полупроводники III-V; numerical simulation; epitaxy; MOCVD; growth models; semiconducting III-V materials
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 03.03.01
Speciality group (FGOS): 030000 - Физика и астрономия
Links: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-5632
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В данной работе представлены результаты численного моделирования металлорганической газофазной эпитаксии в реакторе CCS с использованием трёх различных кинетических моделей поверхностной химии, описывающих нежелательное встраивание галлия в слои InAl(Ga)N. Был проведен анализ основных экспериментальных тенденций. При моделировании варьировались ростовые параметры для оценки влияния на парциальную скорость роста GaN. По результатам расчетов определены наиболее вероятные механизмы встраивания галлия в тонкие пленки и даны рекомендации к практическому использованию моделей роста.

This paper presents the results of numerical simulation of metalorganic vapour-phase epitaxy in Close Coupled Showerhead reactor using three different kinetic models of surface chemistry, describing the unintentional incorporation of gallium into InAl(Ga)N layers. An analysis of the main experimental trends was carried out. In the simulation, the growth conditions were varied to estimate the effect on the partial growth rate of GaN. Based on the calculation results, the most probable mechanisms for gallium incorporation into thin films were determined and discussed.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 24
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics