С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация

Название: Численное моделирование течения многокомпонентной реагирующей смеси газов в CCS реакторе при МОС-гидридном осаждении InAlN слоев: выпускная квалификационная работа бакалавра: 03.03.01 - Прикладные математика и физика ; 03.03.01_01 - Математическое и экспериментальное моделирование в механике сплошных сред
Авторы: Логинова Ксения Евгеньевна
Научный руководитель: Левченя Александр Михайлович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт промышленного менеджмента, экономики и торговли
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2019
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: численное моделирование; эпитаксия; МОГФЭ; модели роста; полупроводники III-V; numerical simulation; epitaxy; MOCVD; growth models; semiconducting III-V materials
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 03.03.01
Группа специальностей ФГОС: 030000 - Физика и астрономия
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-5632
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В данной работе представлены результаты численного моделирования металлорганической газофазной эпитаксии в реакторе CCS с использованием трёх различных кинетических моделей поверхностной химии, описывающих нежелательное встраивание галлия в слои InAl(Ga)N. Был проведен анализ основных экспериментальных тенденций. При моделировании варьировались ростовые параметры для оценки влияния на парциальную скорость роста GaN. По результатам расчетов определены наиболее вероятные механизмы встраивания галлия в тонкие пленки и даны рекомендации к практическому использованию моделей роста.

This paper presents the results of numerical simulation of metalorganic vapour-phase epitaxy in Close Coupled Showerhead reactor using three different kinetic models of surface chemistry, describing the unintentional incorporation of gallium into InAl(Ga)N layers. An analysis of the main experimental trends was carried out. In the simulation, the growth conditions were varied to estimate the effect on the partial growth rate of GaN. Based on the calculation results, the most probable mechanisms for gallium incorporation into thin films were determined and discussed.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 24
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика