Детальная информация

Название: Диэлектрические свойства структур ITO/C60/InGa: выпускная квалификационная работа магистра: направление 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» ; образовательная программа 11.04.04_06 «Интегральная электроника и микросистемотехника»
Авторы: Семенов Сергей Евгеньевич
Научный руководитель: Сударь Николай Тобисович
Другие авторы: Енученко Михаил Сергеевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2020
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: ITO/C60/InGa; фуллерит; кристаллит; эффективная диэлектрическая проницаемость; время релаксации; fullerite; crystallite; effective dielectric permittivity; relaxation time
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Магистратура
Код специальности ФГОС: 11.04.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-1593
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: ru\spstu\vkr\8919

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В результате было установлено, что в постоянном электрическом поле напряженностью не более 5·10^5 В/м проводимость структур ITO/C60/InGa является омической, а при большей напряженности поля велико влияние объемного заряда на ВАХ. Определена подвижность электронов в исследуемой структуре. В рамках данной работы обосновано использование модели Вагнера-Купса для описания диэлектрических свойств структуры ITO/C60/InGa.

As a result, it was found that in a constant electric field with a electric intensity of not more than 5·10^5 V/m, the conductivity of the structures ITO/C60/InGa is ohmic, and with greater electric intensity, the effect of bulk charge on VAC is great. The mobility of electrons in the structure is determined. In this work the use of the Wagner-Coups model to descried the dielectric properties of the structure ITO/C60/InGa is justified.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 2
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика