Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
В результате было установлено, что в постоянном электрическом поле напряженностью не более 5·10^5 В/м проводимость структур ITO/C60/InGa является омической, а при большей напряженности поля велико влияние объемного заряда на ВАХ. Определена подвижность электронов в исследуемой структуре. В рамках данной работы обосновано использование модели Вагнера-Купса для описания диэлектрических свойств структуры ITO/C60/InGa.
As a result, it was found that in a constant electric field with a electric intensity of not more than 5·10^5 V/m, the conductivity of the structures ITO/C60/InGa is ohmic, and with greater electric intensity, the effect of bulk charge on VAC is great. The mobility of electrons in the structure is determined. In this work the use of the Wagner-Coups model to descried the dielectric properties of the structure ITO/C60/InGa is justified.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все | |||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ | |||||
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования
Количество обращений: 2
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |