Details

Title: Диэлектрические свойства структур ITO/C60/InGa: выпускная квалификационная работа магистра: направление 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» ; образовательная программа 11.04.04_06 «Интегральная электроника и микросистемотехника»
Creators: Семенов Сергей Евгеньевич
Scientific adviser: Сударь Николай Тобисович
Other creators: Енученко Михаил Сергеевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2020
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: ITO/C60/InGa; фуллерит; кристаллит; эффективная диэлектрическая проницаемость; время релаксации; fullerite; crystallite; effective dielectric permittivity; relaxation time
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 11.04.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-1593
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В результате было установлено, что в постоянном электрическом поле напряженностью не более 5·10^5 В/м проводимость структур ITO/C60/InGa является омической, а при большей напряженности поля велико влияние объемного заряда на ВАХ. Определена подвижность электронов в исследуемой структуре. В рамках данной работы обосновано использование модели Вагнера-Купса для описания диэлектрических свойств структуры ITO/C60/InGa.

As a result, it was found that in a constant electric field with a electric intensity of not more than 5·10^5 V/m, the conductivity of the structures ITO/C60/InGa is ohmic, and with greater electric intensity, the effect of bulk charge on VAC is great. The mobility of electrons in the structure is determined. In this work the use of the Wagner-Coups model to descried the dielectric properties of the structure ITO/C60/InGa is justified.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 0
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics