Details

Title Диэлектрические свойства структур ITO/C60/InGa: выпускная квалификационная работа магистра: направление 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» ; образовательная программа 11.04.04_06 «Интегральная электроника и микросистемотехника»
Creators Семенов Сергей Евгеньевич
Scientific adviser Сударь Николай Тобисович
Other creators Енученко Михаил Сергеевич
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2020
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects ITO/C60/InGa ; фуллерит ; кристаллит ; эффективная диэлектрическая проницаемость ; время релаксации ; fullerite ; crystallite ; effective dielectric permittivity ; relaxation time
Document type Master graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Master
Speciality code (FGOS) 11.04.04
Speciality group (FGOS) 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links Отзыв руководителя ; Рецензия ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-1593
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key ru\spstu\vkr\8919
Record create date 8/31/2020

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

В результате было установлено, что в постоянном электрическом поле напряженностью не более 5·10^5 В/м проводимость структур ITO/C60/InGa является омической, а при большей напряженности поля велико влияние объемного заряда на ВАХ. Определена подвижность электронов в исследуемой структуре. В рамках данной работы обосновано использование модели Вагнера-Купса для описания диэлектрических свойств структуры ITO/C60/InGa.

As a result, it was found that in a constant electric field with a electric intensity of not more than 5·10^5 V/m, the conductivity of the structures ITO/C60/InGa is ohmic, and with greater electric intensity, the effect of bulk charge on VAC is great. The mobility of electrons in the structure is determined. In this work the use of the Wagner-Coups model to descried the dielectric properties of the structure ITO/C60/InGa is justified.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 2 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics