Детальная информация

Название: Исследование процессов кристаллизации аморфного кремния в тонкоплёночных системах: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_10 «Физическая и биомедицинская электроника»
Авторы: Палёнов Михаил Евгеньевич
Научный руководитель: Габдуллин Павел Гарифович
Другие авторы: Давыдов Сергей Николаевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2020
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: солнечные элементы; кремниевые технологии; кристаллизация аморфного кремния; модификация поверхности; импульсный лазерный отжиг; тонкоплёночные структуры; solar cells; silicon technology; crystallization of amorphous silicon; surface modification; pulsed laser annealing; thin-film structures
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 16.03.01
Группа специальностей ФГОС: 160000 - Физико-технические науки и технологии
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-1654
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Поликристаллический кремний различной чистоты является основным материалом для создания приборов современной электроники, микроэлектроники и фото-энергетики, масштабы его применения в изготовлении солнечных элементов трудно переоценить. Цель данной работы заключается в поиске оптимального способа кристаллизации аморфного кремния при помощи импульсного лазерного воздействия, для создания эффективных и недорогих солнечных элементов, способных работать на нетугоплавких подложках. В ходе работы были модифицированы тонкие плёнки аморфного кремния, а так же предложены способы защиты кремния от окисления с помощью инертного газа и защитным покрытием. Данные рамановской спектроскопии модифицированных областей с каждого из образцов говорят об образовании нанокристаллов. Все значения рамановского смещения попадают в область допустимых значений, характерных для кристаллического кремния.

Polycrystalline silicon of various purities is the main material for creating devices of modern electronics, microelectronics and photo-energy. The use of the in the manufacture of solar cells is difficult to overestimate. The aim of this work is to find the optimal method for crystallization of amorphous silicon using pulsed laser irradiation to create efficient and inexpensive solar cells that can work on low-melting substrates. In the course of the work, thin films of amorphous silicon were modified, and methods for protecting silicon from oxidation using an inert gas and a protective coating were also proposed. Raman spectroscopy of the modified regions from each of the samples showed the formation of nanocrystals. All values of the Raman displacement fall within the range of allowable values characteristic of crystalline silicon.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ)
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 4
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика