Детальная информация

Название: Солнечно-слепые фотодетекторы на основе твердых растворов AlGaN: выпускная квалификационная работа магистра: направление 16.04.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.04.01_01 «Физика и техника полупроводников»
Авторы: Буренина Дарья Сергеевна
Научный руководитель: Шалыгин Вадим Александрович
Другие авторы: Гаврикова Татьяна Андреевна
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2020
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: солнечно-слепые фотодетекторы; твердые растворы AlGaN; фотодиоды Шоттки; омический контакт; solar-blind photodetectors; solid solution AlGaN; schottky photodiodes; ohmic contact
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 16.04.01
Группа специальностей ФГОС: 160000 - Физико-технические науки и технологии
Ссылки: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-1758
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Данная работа посвящена разработке постростовой технологии создания солнечно-слепых фотодетекторов на базе барьера Шоттки. Задачи, которые решались в ходе исследования: 1. Изучение особенности постростовой обработки твердых растворов AlGaN. 2. Подбор режимов напыления и вжигания омического контака. 3. Исследование влияния различных параметров на омичность контакта. 4. Разработка полного технологического цикла постростового производства солнечно-слепых фотодетекторов с барьером Шоттки на основе твердых растворов AlGaN. Работа проведена в лаборатории ФТИ им. А.Ф. Иоффе, где и производился рост структур и постростовая обработка, а так же были получены необходимые характеристики. В результате была разработана технология создания солнечно-слепых фотодетекторов с барьером Шоттки на основе твердых растворов AlGaN, которые не уступают лучшим мировым результатам.

This work is devoted to the development of a post-growth technology for creating solar-blind photodetectors based on the Schottky barrier. Tasks that were solved during the study: 1. The study of the features of post growth processing of AlGaN solid solutions. 2. Selection of spraying and annealing of an ohmic contact. 3. The study of the influence of various parameters on the ohmic contact. 4. Development of a full production cycle for post-growth production of sun-blind photodetectors with a Schottky barrier based on AlGaN solid solutions. The work was carried out in the laboratory of the Ioffe Institute, where the growth of structures and post-growth processing were carried out, as well as the necessary characteristics were obtained. As a result, a technology was developed to create sun-blind photodetectors with a Schottky barrier based on AlGaN solid solutions, which are not inferior to the best world results.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ)
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 3
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика