Данная работа посвящена разработке постростовой технологии создания солнечно-слепых фотодетекторов на базе барьера Шоттки. Задачи, которые решались в ходе исследования: 1. Изучение особенности постростовой обработки твердых растворов AlGaN. 2. Подбор режимов напыления и вжигания омического контака. 3. Исследование влияния различных параметров на омичность контакта. 4. Разработка полного технологического цикла постростового производства солнечно-слепых фотодетекторов с барьером Шоттки на основе твердых растворов AlGaN. Работа проведена в лаборатории ФТИ им. А.Ф. Иоффе, где и производился рост структур и постростовая обработка, а так же были получены необходимые характеристики. В результате была разработана технология создания солнечно-слепых фотодетекторов с барьером Шоттки на основе твердых растворов AlGaN, которые не уступают лучшим мировым результатам.

This work is devoted to the development of a post-growth technology for creating solar-blind photodetectors based on the Schottky barrier. Tasks that were solved during the study: 1. The study of the features of post growth processing of AlGaN solid solutions. 2. Selection of spraying and annealing of an ohmic contact. 3. The study of the influence of various parameters on the ohmic contact. 4. Development of a full production cycle for post-growth production of sun-blind photodetectors with a Schottky barrier based on AlGaN solid solutions. The work was carried out in the laboratory of the Ioffe Institute, where the growth of structures and post-growth processing were carried out, as well as the necessary characteristics were obtained. As a result, a technology was developed to create sun-blind photodetectors with a Schottky barrier based on AlGaN solid solutions, which are not inferior to the best world results.