Родионов, Алексей Евгеньевич. Исследование акцепторных уровней в квантовых ямах GaAs/AlGaAs легированных бериллием: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» ; образовательная программа 11.03.04_04 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» = Investigations of acceptor levels in GaAs/AlGaAs quantum wells doped with beryllium / А. Е. Родионов; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; научный руководитель М. Я. Винниченко ; консультант по нормоконтролю Т. А. Гаврикова. — Санкт-Петербург, 2020. — 1 файл (1,6 Мб). — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2020/vr/vr20-1761.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2020/vr/rev/vr20-1761-o.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2020/vr/rev/vr20-1761-a.pdf>. — DOI 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-1761. — Текст
|
Period
|
Read
|
Print
|
Copy
|
Open
|
Total
|
|
Year 2020
|
Quarter 3
|
1
|
0
|
0
|
0
|
1
|
|
Quarter 4
|
1
|
0
|
1
|
0
|
2
|
|
Year 2021
|
Quarter 1
|
0
|
0
|
1
|
0
|
1
|
|
Quarter 2
|
1
|
0
|
2
|
0
|
3
|
|
Quarter 3
|
2
|
0
|
0
|
0
|
2
|
|
Quarter 4
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Year 2022
|
Quarter 1
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Quarter 2
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Quarter 3
|
1
|
0
|
0
|
0
|
1
|
|
Quarter 4
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Total
|
6
|
0
|
4
|
0
|
10
|
