Детальная информация

Название: Особенности низкотемпературных электрических свойств полупроводникового твердого раствора (PbxSn1-x)0.8In0.2Te: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_10 «Физическая и биомедицинская электроника»
Авторы: Рудоминский Александр Евгеньевич
Научный руководитель: Шамшур Дмитрий Владиленович; Бондаренко Вячеслав Борисович
Другие авторы: Давыдов Сергей Николаевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2020
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: низкие температуры; сверхпроводимость; критические параметры сверхпроводящего состояния; полупроводниковые твердые растворы; глубокие примесные состояния; резонансное рассеяние; low temperatures; superconductivity; critical parameters of the superconducting state; semiconductor solid solutions; deep impurity states; resonant scattering
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 16.03.01
Группа специальностей ФГОС: 160000 - Физико-технические науки и технологии
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-1940
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Изучены низкотемпературные электрические свойства полупроводникового твердого раствора (Pb0.4Sn0.6)0.8In0.2Te. Исследовались температурные и магнитополевые зависимости сопротивления поликристаллического соединения в интервале температур Т = 300 К – 1.3 К и магнитных полей до 10 кЭ. Установлены критические параметры сверхпроводящего состояния (Pb0.4Sn0.6)0.8In0.2Te температура Тс = 3.99 К и второе критическое магнитное поле, экстраполированное к Т = 0 К Hc2(0) ~ 28 кЭ. Анализ полученных результатов проводился в модели примесной полосы индия с высокой плотностью состояний на фоне сплошного спектра валентной зоны твердого раствора PbTe – SnTe. Изучение материалов данного класса представляет интерес как с точки зрения фундаментальных исследований, так и для использования их в качестве элементной базы криогенной электроники.

The low-temperature electrical properties of a semiconductor solid solution (Pb0.4Sn0.6)0.8In0.2Te. were studied. The temperature and magnetic field dependences of the resistance of the polycrystalline sample were studied in the temperature range Т = 300 К – 1.3 К and magnetic fields less than 10 кOe. The critical parameters of the superconducting state were found in (Pb0.4Sn0.6)0.8In0.2Te, these being the critical temperature Tc = 3.99 K and the second critical magnetic field extrapolated to T = 0 K Hc2(0) ~ 28 kOe. The obtained results were analyzed in the model of an indium impurity band with a high density of states on the background of the continuous spectrum of the valence band of the PbTe - SnTe solid solutions system. The study of materials of this class is of interest in terms of basic research, and for using them as an element base of cryogenic electronics.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 2
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика