Details

Title: Особенности низкотемпературных электрических свойств полупроводникового твердого раствора (PbxSn1-x)0.8In0.2Te: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_10 «Физическая и биомедицинская электроника»
Creators: Рудоминский Александр Евгеньевич
Scientific adviser: Шамшур Дмитрий Владиленович; Бондаренко Вячеслав Борисович
Other creators: Давыдов Сергей Николаевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2020
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: низкие температуры; сверхпроводимость; критические параметры сверхпроводящего состояния; полупроводниковые твердые растворы; глубокие примесные состояния; резонансное рассеяние; low temperatures; superconductivity; critical parameters of the superconducting state; semiconductor solid solutions; deep impurity states; resonant scattering
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 16.03.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-1940
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Изучены низкотемпературные электрические свойства полупроводникового твердого раствора (Pb0.4Sn0.6)0.8In0.2Te. Исследовались температурные и магнитополевые зависимости сопротивления поликристаллического соединения в интервале температур Т = 300 К – 1.3 К и магнитных полей до 10 кЭ. Установлены критические параметры сверхпроводящего состояния (Pb0.4Sn0.6)0.8In0.2Te температура Тс = 3.99 К и второе критическое магнитное поле, экстраполированное к Т = 0 К Hc2(0) ~ 28 кЭ. Анализ полученных результатов проводился в модели примесной полосы индия с высокой плотностью состояний на фоне сплошного спектра валентной зоны твердого раствора PbTe – SnTe. Изучение материалов данного класса представляет интерес как с точки зрения фундаментальных исследований, так и для использования их в качестве элементной базы криогенной электроники.

The low-temperature electrical properties of a semiconductor solid solution (Pb0.4Sn0.6)0.8In0.2Te. were studied. The temperature and magnetic field dependences of the resistance of the polycrystalline sample were studied in the temperature range Т = 300 К – 1.3 К and magnetic fields less than 10 кOe. The critical parameters of the superconducting state were found in (Pb0.4Sn0.6)0.8In0.2Te, these being the critical temperature Tc = 3.99 K and the second critical magnetic field extrapolated to T = 0 K Hc2(0) ~ 28 kOe. The obtained results were analyzed in the model of an indium impurity band with a high density of states on the background of the continuous spectrum of the valence band of the PbTe - SnTe solid solutions system. The study of materials of this class is of interest in terms of basic research, and for using them as an element base of cryogenic electronics.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 2
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics