Изучены низкотемпературные электрические свойства полупроводникового твердого раствора (Pb0.4Sn0.6)0.8In0.2Te. Исследовались температурные и магнитополевые зависимости сопротивления поликристаллического соединения в интервале температур Т = 300 К – 1.3 К и магнитных полей до 10 кЭ. Установлены критические параметры сверхпроводящего состояния (Pb0.4Sn0.6)0.8In0.2Te температура Тс = 3.99 К и второе критическое магнитное поле, экстраполированное к Т = 0 К Hc2(0) ~ 28 кЭ. Анализ полученных результатов проводился в модели примесной полосы индия с высокой плотностью состояний на фоне сплошного спектра валентной зоны твердого раствора PbTe – SnTe. Изучение материалов данного класса представляет интерес как с точки зрения фундаментальных исследований, так и для использования их в качестве элементной базы криогенной электроники.

The low-temperature electrical properties of a semiconductor solid solution (Pb0.4Sn0.6)0.8In0.2Te. were studied. The temperature and magnetic field dependences of the resistance of the polycrystalline sample were studied in the temperature range Т = 300 К – 1.3 К and magnetic fields less than 10 кOe. The critical parameters of the superconducting state were found in (Pb0.4Sn0.6)0.8In0.2Te, these being the critical temperature Tc = 3.99 K and the second critical magnetic field extrapolated to T = 0 K Hc2(0) ~ 28 kOe. The obtained results were analyzed in the model of an indium impurity band with a high density of states on the background of the continuous spectrum of the valence band of the PbTe - SnTe solid solutions system. The study of materials of this class is of interest in terms of basic research, and for using them as an element base of cryogenic electronics.