Детальная информация

Данная работа посвящена выращиванию методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) тонких слоев фторида кальция на кремниевых подложках CaF2/Si(111) и исследованию их кристаллической структуры и топографии методами дифракции быстрых электронов (ДБЭ) на отражение и атомно-силовой микроскопии (АСМ). В ходе исследований были выращены и получены физические свойства 120 нм и 2 нм пленок CaF2, рассмотрен потенциал использования фторида кальция в двумерной наноэлектронике.

This work is devoted to the growth of thin layers of calcium fluoride on silicon substrates CaF2/Si(111) using molecular beam epitaxy (MBE) and the study of their crystal structure and topography by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and atomic force microscopy (AFM). After the growth, the physical properties of 120 nm and 2 nm CaF2 films were studied, and the potential of calcium fluoride films for using in two-dimensional nanoelectronics was considered.

• ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА РАБОТА БАКАЛАВРА
• «ПРОЦЕССЫ РОСТА И СВОЙСТВА УЛЬТРАТОНКИХ СЛОЕВ CaF2 НА Si(111) ДЛЯ ДВУМЕРНОЙ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ»
• ЗАДАНИЕ
• РЕФЕРАТ
• ABSTRACT
• Введение
• Глава 1. Обзор литературы
• 1.1. Эпитаксиальные фториды второй группы
• 1.2. Молекулярно-лучевая эпитаксия
• 1.2.1. Технологическая установка МЛЭ
• 1.2.2. Компьютерное управление установкой
• 1.3. Кварцевый измеритель толщины
• 1.4. Атомно-силовой микроскоп
• 1.5. Контроль состояния поверхности подложки по ДБЭ
• 1.6. Исследование электрических характеристик образцов.
• 1.8. Влияние релаксации термических напряжений на морфологию поверхности слоев CaF2
• Глава 2. Экспериментальные результаты и их обсуждение
• 2.1. Очистка кремниевой подложки
• 2.2. Роль релаксации термических напряжений в процессе роста толстых слоев CaF2
• 2.3. Исследование тонких слоев фторида кальция
• Глава 3. Основные выводы
• 3.1. Анализ проведенных экспериментальных работ
• 3.2. Преимущества CaF2 перед другими материалами
• 3.3. Заключение
• Список литературы