Детальная информация

Название: Процессы роста и свойства ультратонких слоев CaF2 НА Si(111) для двумерной электроники: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» ; образовательная программа 11.03.04_04 «Микроэлектроника и твердотельная электроника»
Авторы: Погольша Дмитрий Николаевич
Научный руководитель: Шалыгин Вадим Александрович
Другие авторы: Гаврикова Татьяна Андреевна
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2020
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: молекулярно-лучевая эпитаксия; дифракция быстрых электронов на отражение; атомно-силовая микроскопия; ультратонкие пленки; двумерная электроника; фторид кальция; molecular beam epitaxy; reflection high-energy electron diffraction; atomic force microscopy; ultrathin films; two-dimensional electronics; calcium fluoride
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.03.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-2037
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Данная работа посвящена выращиванию методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) тонких слоев фторида кальция на кремниевых подложках CaF2/Si(111) и исследованию их кристаллической структуры и топографии методами дифракции быстрых электронов (ДБЭ) на отражение и атомно-силовой микроскопии (АСМ). В ходе исследований были выращены и получены физические свойства 120 нм и 2 нм пленок CaF2, рассмотрен потенциал использования фторида кальция в двумерной наноэлектронике.

This work is devoted to the growth of thin layers of calcium fluoride on silicon substrates CaF2/Si(111) using molecular beam epitaxy (MBE) and the study of their crystal structure and topography by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and atomic force microscopy (AFM). After the growth, the physical properties of 120 nm and 2 nm CaF2 films were studied, and the potential of calcium fluoride films for using in two-dimensional nanoelectronics was considered.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ)
-> Интернет Анонимные пользователи

Оглавление

  • ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА РАБОТА БАКАЛАВРА
  • «ПРОЦЕССЫ РОСТА И СВОЙСТВА УЛЬТРАТОНКИХ СЛОЕВ CaF2 НА Si(111) ДЛЯ ДВУМЕРНОЙ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ»
  • ЗАДАНИЕ
  • РЕФЕРАТ
  • ABSTRACT
  • Введение
  • Глава 1. Обзор литературы
  • 1.1. Эпитаксиальные фториды второй группы
  • 1.2. Молекулярно-лучевая эпитаксия
  • 1.2.1. Технологическая установка МЛЭ
  • 1.2.2. Компьютерное управление установкой
  • 1.3. Кварцевый измеритель толщины
  • 1.4. Атомно-силовой микроскоп
  • 1.5. Контроль состояния поверхности подложки по ДБЭ
  • 1.6. Исследование электрических характеристик образцов.
  • 1.8. Влияние релаксации термических напряжений на морфологию поверхности слоев CaF2
  • Глава 2. Экспериментальные результаты и их обсуждение
  • 2.1. Очистка кремниевой подложки
  • 2.2. Роль релаксации термических напряжений в процессе роста толстых слоев CaF2
  • 2.3. Исследование тонких слоев фторида кальция
  • Глава 3. Основные выводы
  • 3.1. Анализ проведенных экспериментальных работ
  • 3.2. Преимущества CaF2 перед другими материалами
  • 3.3. Заключение
  • Список литературы

Статистика использования

stat Количество обращений: 3
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика