Детальная информация

Название: Исследование и разработка источника стабилизированного напряжения для КМОП технологии: выпускная квалификационная работа магистра: направление 11.04.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи» ; образовательная программа 11.04.02_05 «Микроэлектроника инфокоммуникационных систем (международная образовательная программа)»
Авторы: Пищугин Леонид Дмитриевич
Научный руководитель: Морозов Дмитрий Валерьевич
Другие авторы: Енученко Михаил Сергеевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2020
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: источник стабилизированного напряжения; комплиментарный металл-оксид-полупроводник; токовое зеркало; рисунок топологии кристалла; voltage reference; complimentary metal oxide semiconductor; current mirror; layout
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.04.02
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-3279
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Объектом исследования является источник стабилизированного напряжения. Цель работы – исследование и разработка источника стабилизированного напряжения для КМОП-технологии. Проведен анализ литературы о схемах, принципах работы, достоинствах и недостатках источников стабилизированного напряжения в КМОПтехнологии. Оценивались изменения характеристик источника стабилизированного напряжения в зависимости от внешних воздействий, таких как напряжение питания и температура, а также отклонений от заданных параметров элементов схемы, в частности МОП-транзисторов, биполярных транзисторов и резисторов. Разработаны схема источника стабилизированного напряжения и рисунок топологии кристалла источника стабилизированного напряжения, проведена оценка полученных характеристик и найдены наибольшие отклонения от заданного стабилизированного напряжения, которые не превышают 7,5%.

This work presents an overview of voltage references realized in CMOS process. The voltage reference circuit and layout were developed, the main characteristics were evaluated. The greatest voltage variations do not exceed 7,5%.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 4
За последние 30 дней: 1
Подробная статистика