Details

Title: Исследование и разработка источника стабилизированного напряжения для КМОП технологии: выпускная квалификационная работа магистра: направление 11.04.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи» ; образовательная программа 11.04.02_05 «Микроэлектроника инфокоммуникационных систем (международная образовательная программа)»
Creators: Пищугин Леонид Дмитриевич
Scientific adviser: Морозов Дмитрий Валерьевич
Other creators: Енученко Михаил Сергеевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2020
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: источник стабилизированного напряжения; комплиментарный металл-оксид-полупроводник; токовое зеркало; рисунок топологии кристалла; voltage reference; complimentary metal oxide semiconductor; current mirror; layout
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Master
Speciality code (FGOS): 11.04.02
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-3279
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Record key: ru\spstu\vkr\8972

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Объектом исследования является источник стабилизированного напряжения. Цель работы – исследование и разработка источника стабилизированного напряжения для КМОП-технологии. Проведен анализ литературы о схемах, принципах работы, достоинствах и недостатках источников стабилизированного напряжения в КМОПтехнологии. Оценивались изменения характеристик источника стабилизированного напряжения в зависимости от внешних воздействий, таких как напряжение питания и температура, а также отклонений от заданных параметров элементов схемы, в частности МОП-транзисторов, биполярных транзисторов и резисторов. Разработаны схема источника стабилизированного напряжения и рисунок топологии кристалла источника стабилизированного напряжения, проведена оценка полученных характеристик и найдены наибольшие отклонения от заданного стабилизированного напряжения, которые не превышают 7,5%.

This work presents an overview of voltage references realized in CMOS process. The voltage reference circuit and layout were developed, the main characteristics were evaluated. The greatest voltage variations do not exceed 7,5%.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read
Internet Authorized users SPbPU Read
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 15
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics