Гагаева, Алина Евгеньевна. Разработка технологии глубокого анизотропного плазмохимического травления кремния: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» ; образовательная программа 28.03.01_01 «Технологии материалов и изделий микросистемной техники» = Development of technology for deep anisotropic plasma chemical etching of silicon / А. Е. Гагаева; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт машиностроения, материалов и транспорта; научный руководитель А. А. Осипов; консультант по нормоконтролю Л. А. Филатов. — Санкт-Петербург, 2021. — 1 файл (1,6 Мб). — Загл. с титул. экрана. — Текст публикуется с изъятием в соответствии с распоряжением СПбПУ от 13.06.2017 г. № 91. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2021/vr/vr21-2117.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2021/vr/rev/vr21-2117-o.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2021/vr/rev/vr21-2117-a.pdf>. — DOI 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-2117. — Текст