Детальная информация

Название: Исследование дефектной структуры оксида галлия: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» ; образовательная программа 28.03.01_01 «Технологии материалов и изделий микросистемной техники»
Авторы: Заричный Антон Андреевич
Научный руководитель: Семенча Александр Вячеславович
Другие авторы: Филатов Леонид Анатольевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2021
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Ga2O3; полиморфизм; ростовые дефекты структуры; жидкостное избирательное травление; polymorphism; growth defects of the structure; wet etching
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 28.03.01
Группа специальностей ФГОС: 280000 - Нанотехнологии и наноматериалы
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-2325
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Дополнительно: Новинка

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Данная работа посвящена выявлению и исследованию ростовых дислокаций α- и β- полиморфов оксида галлия. Задачи, которые ставились в ходе исследования: ознакомление с особенностями роста α- и β- полиморфов оксида галлия; избирательное травление поверхности слоев и кристаллов оксида галлия и выявление ямок травления, обусловленных дислокациями; исследование фигур травления и их плотности в кристаллах и слоях оксида галлия.

The present paper is dedicated to the identification and study of growth dislocations of α - and β - polymorphs of gallium oxide. The author outlines the following tasks: Introduction to the growth features of agallium oxide α - and β - polymorphs; Selective wetching of the surface of gallium oxide layers and crystals and identification of etching pits caused by dislocation; study of etching patterns and their density in gallium oxide crystals and layer.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ)
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 2
За последние 30 дней: 1
Подробная статистика