Детальная информация
| Название | Исследование дефектной структуры оксида галлия: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» ; образовательная программа 28.03.01_01 «Технологии материалов и изделий микросистемной техники» = Defect structure of gallium oxide investigation |
|---|---|
| Авторы | Заричный Антон Андреевич |
| Научный руководитель | Семенча Александр Вячеславович |
| Другие авторы | Филатов Леонид Анатольевич |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2021 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | Ga2O3 ; полиморфизм ; ростовые дефекты структуры ; жидкостное избирательное травление ; polymorphism ; growth defects of the structure ; wet etching |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Бакалавриат |
| Код специальности ФГОС | 28.03.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 280000 - Нанотехнологии и наноматериалы |
| Ссылки | Отзыв руководителя ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований |
| DOI | 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-2325 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | ru\spstu\vkr\12409 |
| Дата создания записи | 09.07.2021 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Данная работа посвящена выявлению и исследованию ростовых дислокаций α- и β- полиморфов оксида галлия. Задачи, которые ставились в ходе исследования: ознакомление с особенностями роста α- и β- полиморфов оксида галлия; избирательное травление поверхности слоев и кристаллов оксида галлия и выявление ямок травления, обусловленных дислокациями; исследование фигур травления и их плотности в кристаллах и слоях оксида галлия.
The present paper is dedicated to the identification and study of growth dislocations of α - and β - polymorphs of gallium oxide. The author outlines the following tasks: Introduction to the growth features of agallium oxide α - and β - polymorphs; Selective wetching of the surface of gallium oxide layers and crystals and identification of etching pits caused by dislocation; study of etching patterns and their density in gallium oxide crystals and layer.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 4
За последние 30 дней: 0
