Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Данная работа посвящена выявлению и исследованию ростовых дислокаций α- и β- полиморфов оксида галлия. Задачи, которые ставились в ходе исследования: ознакомление с особенностями роста α- и β- полиморфов оксида галлия; избирательное травление поверхности слоев и кристаллов оксида галлия и выявление ямок травления, обусловленных дислокациями; исследование фигур травления и их плотности в кристаллах и слоях оксида галлия.
The present paper is dedicated to the identification and study of growth dislocations of α - and β - polymorphs of gallium oxide. The author outlines the following tasks: Introduction to the growth features of agallium oxide α - and β - polymorphs; Selective wetching of the surface of gallium oxide layers and crystals and identification of etching pits caused by dislocation; study of etching patterns and their density in gallium oxide crystals and layer.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
![]() ![]() ![]() |
||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
![]() ![]() ![]() |
||||
![]() |
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования
|
Количество обращений: 4
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |