Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Выполнена серия экспериментов по изучению неравновесных 2D-электронов и 2D-плазмонов в гетероструктуре GaN/AlGaN с металлической решеткой на поверхности. Была определена эффективная температура горячих электронов с помощью ВАХ и уравнения баланса мощности. Разработана методика независимого определения температур 2D-плазмонов, 2D-электронов и кристаллической решетки. Исследован спектр ТГц электролюминесценции в сильно неравновесных условиях. Продемонстрировано, что вклад 2D-плазмонов в спектральную плотность излучения в 5 раз больше, чем вклад горячих 2D-электронов. Показано, что при заданной напряженности электрического поля температура неравновесных 2D-плазмонов близка к температуре горячих 2D-электронов. Доказана возможность изготовления узкополосных ТГц излучателей.
Experimental studying of non-equilibrium 2D electrons and 2D plasmons in a GaN/AlGaN heterostructure with a metal grating was performed. The effective temperature of hot electrons was determined using the I-V characteristics and their analysis using the power balance equation. A technique has been developed for the independent temperature determination of 2D plasmons, 2D electrons, and the crystal lattice. The THz electroluminescence spectrum is investigated under strongly nonequilibrium conditions. It is demonstrated that the insertion of 2D plasmons into the spectral density of radiation is 5 times greater than that of hot 2D electrons. It has been shown for a given electric field the effective temperature of nonequilibrium 2D plasmons is close to the hot 2D electron temperature. The possibility of manufacturing narrow-band THz emitters has been proven.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
![]() |
||||
Внешние организации №2 | Все |
![]() |
||||
Внешние организации №1 | Все | |||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
![]() |
||||
Интернет | Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №2) |
![]() |
||||
Интернет | Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №1) | |||||
![]() |
Интернет | Анонимные пользователи |
Оглавление
- ВВЕДЕНИЕ
- Глава 1. ОБЗОР Литературы
- 1.1. Двумерный электронный газ в гетеропереходе AlGaN/GaN
- 1.2. Дисперсия двумерных плазмонов
- 1.3. Возможность исследования 2D-плазмонов оптическими методами
- 1.4. Электролюминесценция 2D-плазмонов в Si-MOSFET структурах и гетероструктурах GaAs/AlGaAs
- 1.5. Двумерные плазмоны в гетероструктурах GaN/AlGaN
- Глава 2. Постановка задачи и методика эксперимента
- 2.1. Постановка задачи
- 2.2. Описание образцов
- 2.3. Методика эксперимента
- 2.3.1. Исследование вольт-амперных характеристик
- 2.3.2. Исследование ТГц электролюминесценции
- Глава 3. результаты ЭКсперимента и их обсуждение
- ЗАКЛЮЧЕНИЕ
- СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
Статистика использования
|
Количество обращений: 1
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |