Table | Card | RUSMARC | |
Allowed Actions: –
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Выполнена серия экспериментов по изучению неравновесных 2D-электронов и 2D-плазмонов в гетероструктуре GaN/AlGaN с металлической решеткой на поверхности. Была определена эффективная температура горячих электронов с помощью ВАХ и уравнения баланса мощности. Разработана методика независимого определения температур 2D-плазмонов, 2D-электронов и кристаллической решетки. Исследован спектр ТГц электролюминесценции в сильно неравновесных условиях. Продемонстрировано, что вклад 2D-плазмонов в спектральную плотность излучения в 5 раз больше, чем вклад горячих 2D-электронов. Показано, что при заданной напряженности электрического поля температура неравновесных 2D-плазмонов близка к температуре горячих 2D-электронов. Доказана возможность изготовления узкополосных ТГц излучателей.
Experimental studying of non-equilibrium 2D electrons and 2D plasmons in a GaN/AlGaN heterostructure with a metal grating was performed. The effective temperature of hot electrons was determined using the I-V characteristics and their analysis using the power balance equation. A technique has been developed for the independent temperature determination of 2D plasmons, 2D electrons, and the crystal lattice. The THz electroluminescence spectrum is investigated under strongly nonequilibrium conditions. It is demonstrated that the insertion of 2D plasmons into the spectral density of radiation is 5 times greater than that of hot 2D electrons. It has been shown for a given electric field the effective temperature of nonequilibrium 2D plasmons is close to the hot 2D electron temperature. The possibility of manufacturing narrow-band THz emitters has been proven.
Document access rights
Network | User group | Action | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All |
![]() |
||||
External organizations N2 | All |
![]() |
||||
External organizations N1 | All | |||||
Internet | Authorized users SPbPU |
![]() |
||||
Internet | Authorized users (not from SPbPU, N2) |
![]() |
||||
Internet | Authorized users (not from SPbPU, N1) | |||||
![]() |
Internet | Anonymous |
Table of Contents
- ВВЕДЕНИЕ
- Глава 1. ОБЗОР Литературы
- 1.1. Двумерный электронный газ в гетеропереходе AlGaN/GaN
- 1.2. Дисперсия двумерных плазмонов
- 1.3. Возможность исследования 2D-плазмонов оптическими методами
- 1.4. Электролюминесценция 2D-плазмонов в Si-MOSFET структурах и гетероструктурах GaAs/AlGaAs
- 1.5. Двумерные плазмоны в гетероструктурах GaN/AlGaN
- Глава 2. Постановка задачи и методика эксперимента
- 2.1. Постановка задачи
- 2.2. Описание образцов
- 2.3. Методика эксперимента
- 2.3.1. Исследование вольт-амперных характеристик
- 2.3.2. Исследование ТГц электролюминесценции
- Глава 3. результаты ЭКсперимента и их обсуждение
- ЗАКЛЮЧЕНИЕ
- СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
Usage statistics
|
Access count: 1
Last 30 days: 0 Detailed usage statistics |