Details

Title: Двумерные электроны и плазмоны в наноструктуре AlGaN/GaN в сильно неравновесных условиях: выпускная квалификационная работа магистра: направление 16.04.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.04.01_01 «Физика и техника полупроводников»
Creators: Логинов Леонид Александрович
Scientific adviser: Шалыгин Вадим Александрович
Other creators: Гаврикова Татьяна Андреевна; Молдавская Мария Давидовна
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2021
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Электроны; Плазмоны; Излучения; ТГЦ диапазон; гетероструктуры; AlGaN/GaN; горячие электроны; THZ range; heterostructures; temperature of hot electrons
UDC: 537.12; 539.21
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 16.04.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-2390
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Выполнена серия экспериментов по изучению неравновесных 2D-электронов и 2D-плазмонов в гетероструктуре GaN/AlGaN с металлической решеткой на поверхности. Была определена эффективная температура горячих электронов с помощью ВАХ и уравнения баланса мощности. Разработана методика независимого определения температур 2D-плазмонов, 2D-электронов и кристаллической решетки. Исследован спектр ТГц электролюминесценции в сильно неравновесных условиях. Продемонстрировано, что вклад 2D-плазмонов в спектральную плотность излучения в 5 раз больше, чем вклад горячих 2D-электронов. Показано, что при заданной напряженности электрического поля температура неравновесных 2D-плазмонов близка к температуре горячих 2D-электронов. Доказана возможность изготовления узкополосных ТГц излучателей.

Experimental studying of non-equilibrium 2D electrons and 2D plasmons in a GaN/AlGaN heterostructure with a metal grating was performed. The effective temperature of hot electrons was determined using the I-V characteristics and their analysis using the power balance equation. A technique has been developed for the independent temperature determination of 2D plasmons, 2D electrons, and the crystal lattice. The THz electroluminescence spectrum is investigated under strongly nonequilibrium conditions. It is demonstrated that the insertion of 2D plasmons into the spectral density of radiation is 5 times greater than that of hot 2D electrons. It has been shown for a given electric field the effective temperature of nonequilibrium 2D plasmons is close to the hot 2D electron temperature. The possibility of manufacturing narrow-band THz emitters has been proven.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read
Internet Authorized users SPbPU Read
Internet Authorized users (not from SPbPU)
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • ВВЕДЕНИЕ
  • Глава 1. ОБЗОР Литературы
    • 1.1. Двумерный электронный газ в гетеропереходе AlGaN/GaN
    • 1.2. Дисперсия двумерных плазмонов
    • 1.3. Возможность исследования 2D-плазмонов оптическими методами
    • 1.4. Электролюминесценция 2D-плазмонов в Si-MOSFET структурах и гетероструктурах GaAs/AlGaAs
    • 1.5. Двумерные плазмоны в гетероструктурах GaN/AlGaN
  • Глава 2. Постановка задачи и методика эксперимента
    • 2.1. Постановка задачи
    • 2.2. Описание образцов
    • 2.3. Методика эксперимента
      • 2.3.1. Исследование вольт-амперных характеристик
      • 2.3.2. Исследование ТГц электролюминесценции
  • Глава 3. результаты ЭКсперимента и их обсуждение
  • ЗАКЛЮЧЕНИЕ
  • СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Usage statistics

stat Access count: 0
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics