В работе рассмотрены основы процесса фотолитографии, основные её виды и методики. Предположено использование фотополимерного 3D принтера AnycubicPhoton S для безмасочной фотолитографии на подложках кремния. Проведены эксперименты по созданию фоторезистивных масок с использованием 3D принтера. Исследованы зависимости свойств получаемой маски из фоторезиста в зависимости от объёма фоторезиста, времени вращения центрифуги, времени экспонирования на 3D принтере и времени проявления. Изучение образцов после процесса безмасочной литографии проводилось на сканирующем электронном микроскопе В результате проведения экспериментов, выявления условий оптимального режима на поверхности кремния получена плёнка фоторезиста, обладающая низким процентом неравномерности и высоким процентом растворимости в проявителе. Изучение образцов после процессов безмасочной литографии проводилось с использованием сканирующего электронного микроскопа. Был проведен анализ экспериментальных данных, по результатам, которого было определено каким образом технологические параметры влияют на полученные структуры в кремнии.

The paper considers the basics of the photolithography process, its main types and methods. The use of AnycubicPhoton S photopolymer 3D printer for maskless photolithography on silicon substrates is suggested. Experiments were conducted to create photoresistive masks using a 3D printer. The dependences of the properties of the obtained mask from the photoresist depending on the volume of the photoresist, the rotation time of the centrifuge, the exposure time on the 3D printer, and the development time are investigated. The study of the samples after the process of maskless lithography was carried out on a scanning electron microscope.As a result of experiments, the conditions of the optimal regime on the silicon surface were revealed, a photoresist film with a low percentage of unevenness and a high percentage of solubility in the developer was obtained. The samples were studied after the maskless lithography processes using a scanning electron microscope. An analysis of the experimental data was carried out, according to the results of which it was determined how the technological parameters affect the obtained structures in silicon.