Details

Title: Рост эпитаксиальных слоев и кристаллов оксида галлия сублимационным методом: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» ; образовательная программа 28.03.01_01 «Технологии материалов и изделий микросистемной техники»
Creators: Тарванен Дмитрий Александрович
Scientific adviser: Семенча Александр Вячеславович
Other creators: Филатов Леонид Анатольевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта
Imprint: Санкт-Петербург, 2021
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: сублимационный метод; метод физического транспорта; эпитаксиальные слои; кристаллы; оксид галлия; sublimation; physical vapor transport; epitaxial layer; crystals; gallium oxide
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 28.03.01
Speciality group (FGOS): 280000 - Нанотехнологии и наноматериалы
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-2929
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В данной работе рассмотрены возможности роста эпитаксиальных слоев и кристаллов оксида галлия сублимационным методом. Изучены особенности процесса сублимации для роста схожих по физическим свойствам с окси-дом галлия материалов. Были проведены эксперименты по росту эпитаксиальных слоев и кристаллов оксида галлия методом сублимации. После были изучены структура и состав полученных образцов. В результате были получены эпитаксиальные слои и кристаллы на подложках из сапфира и карбида кремния.

In this work, the possibilities of growing epitaxyl layers and crystals of gallium oxide using physical vapor transport are considered. The features of the sublimation process for the growth of materials similar in physical properties to gallium oxide have been studied. Experiments were carried out on the growth of epitaxial layers and gallium oxide crystals by the sublimation method. After that, the structure and composition of the obtained samples were studied. As a result, epitaxial layers and crystals on sapphire and silicon carbide substrates were ob-tained.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
Internet Authorized users (not from SPbPU)
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 0
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics