Details
Title | Рост эпитаксиальных слоев и кристаллов оксида галлия сублимационным методом: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» ; образовательная программа 28.03.01_01 «Технологии материалов и изделий микросистемной техники» |
---|---|
Creators | Тарванен Дмитрий Александрович |
Scientific adviser | Семенча Александр Вячеславович |
Other creators | Филатов Леонид Анатольевич |
Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта |
Imprint | Санкт-Петербург, 2021 |
Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
Subjects | сублимационный метод ; метод физического транспорта ; эпитаксиальные слои ; кристаллы ; оксид галлия ; sublimation ; physical vapor transport ; epitaxial layer ; crystals ; gallium oxide |
Document type | Bachelor graduation qualification work |
File type | |
Language | Russian |
Level of education | Bachelor |
Speciality code (FGOS) | 28.03.01 |
Speciality group (FGOS) | 280000 - Нанотехнологии и наноматериалы |
Links | Отзыв руководителя ; Рецензия ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований |
DOI | 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-2929 |
Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Record key | ru\spstu\vkr\12516 |
Record create date | 7/9/2021 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group | Anonymous |
---|---|
Network | Internet |
В данной работе рассмотрены возможности роста эпитаксиальных слоев и кристаллов оксида галлия сублимационным методом. Изучены особенности процесса сублимации для роста схожих по физическим свойствам с окси-дом галлия материалов. Были проведены эксперименты по росту эпитаксиальных слоев и кристаллов оксида галлия методом сублимации. После были изучены структура и состав полученных образцов. В результате были получены эпитаксиальные слои и кристаллы на подложках из сапфира и карбида кремния.
In this work, the possibilities of growing epitaxyl layers and crystals of gallium oxide using physical vapor transport are considered. The features of the sublimation process for the growth of materials similar in physical properties to gallium oxide have been studied. Experiments were carried out on the growth of epitaxial layers and gallium oxide crystals by the sublimation method. After that, the structure and composition of the obtained samples were studied. As a result, epitaxial layers and crystals on sapphire and silicon carbide substrates were ob-tained.
Network | User group | Action |
---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All |
|
Internet | Authorized users SPbPU |
|
Internet | Anonymous |
|
Access count: 2
Last 30 days: 2