Details
| Title | Газофазное осаждение слоев диоксида кремния в системе октаметилциклотетрасилоксан-озон-кислород: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» ; образовательная программа 28.03.01_01 «Технологии материалов и изделий микросистемной техники» |
|---|---|
| Creators | Воронович Ева Игоревна |
| Scientific adviser | Филатов Леонид Анатольевич |
| Other creators | Филатов Леонид Анатольевич |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2021 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция |
| Subjects | химическое осаждение из газовой фазы; диоксид кремния; слои; октаметилциклотетрасилоксан; CVD; silicon dioxide; films; OMTS |
| Document type | Bachelor graduation qualification work |
| File type | |
| Language | Russian |
| Level of education | Bachelor |
| Speciality code (FGOS) | 28.03.01 |
| Speciality group (FGOS) | 280000 - Нанотехнологии и наноматериалы |
| Links | Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований |
| DOI | 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-2963 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | ru\spstu\vkr\12648 |
| Record create date | 7/9/2021 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
В данной работе рассмотрено получение тонких слоев диоксида кремния методом химического осаждения из газовой фазы. Проведена серия экспериментов по получению пленок диоксида кремния при различных параметрах осаждения. Исследованы свойства осажденных слоев, а также влияние температуры и давления на скорость роста и характеристики полученных пленок.
In this work, the preparation of thin layers of silicon dioxide by chemical vapor deposition is considered. A series of experiments was carried out to obtain silicon dioxide films at various deposition parameters. The properties of the deposited layers, as well as the effect of temperature and pressure on the growth rate and characteristics of the obtained films, are investigated.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
Access count: 2
Last 30 days: 0
