Детальная информация

Название: Влияние концентрации водорода на фотоэлектрические свойства структур Pd-оксид-InP: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Физика полупроводников и наноэлектроника»
Авторы: Шарипов Руслан Рустемович
Научный руководитель: Мусихин Сергей Федорович
Другие авторы: Гаврикова Татьяна Андреевна
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2021
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: фотоэлектрический сенсор водорода; туннельный механизм проводимости; работа выхода палладия; прямое смещение; фототок; photoelectric hydrogen sensor; tunneling conduction mechanism; work function of palladium; forward bias; photocurrent
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Бакалавриат
Код специальности ФГОС: 16.03.01
Группа специальностей ФГОС: 160000 - Физико-технические науки и технологии
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-3213
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: ru\spstu\vkr\12157

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Данная работа посвящена исследованию влияния концентрации водорода на электрические и фотоэлектрические свойства структур Pd/оксид/InP,Pd/GaAs,Pd/GaPи сравнительному анализу фотоэлектрических характеристик данных структур. Задачи, которые решались в ходе исследования: 1. Разработка чувствительных элементов на основе структур Pd/оксид/InP,Pd/GaAs,Pd/GaP. 2. Измерения ВАХ структур Pd/оксид/InP,Pd/GaAs,Pd/GaP в вакууме и в атмосфере водорода. 3. Измерение фототока при прямом смещении в структурах Pd/оксид/InP,Pd/GaAs,Pd/GaP. 4. Сравнительный анализ фотоэлектрических характеристик структур Pd/оксид/InP,Pd/GaAs,Pd/GaP. Измерения для исследования влияния водорода на электрические характеристики структуры Pd-оксид-InPпроводились в диапазоне температур 90-300K. Для анализа полученных данных использовалось программное обеспечение Origin 2018. Были получены зависимости параметров,характеризующих механизмы проводимости структуры. Измерение фототока структур Pd/оксид/InP,Pd/GaAs,Pd/GaP проводилось при прямом смещении. Наблюдалось насыщение фототока в атмосфере водорода и в вакууме в структуре Pd/оксид/InP и увеличение потенциального барьера в структурах Pd/GaAs,Pd/GaP. Полученные результаты могут быть использованы в дальнейших работах по улучшению фотоэлектрических характеристик структуры Pd/оксид/InP и исследованию влияния водорода на фотоэлектрические характеристики структур Pd/GaAs,Pd/GaP при прямом смещении.

This work is devoted to the study of the influence of hydrogen concentration on the electrical and photovoltaic properties of Pd/oxide/InP, Pd/GaAs, Pd/GaP structures and a comparative analysis of the photovoltaic characteristics of these structures. Tasks that were solved in the course of the study: 1. Development of sensitive elements based on Pd/oxide/InP, Pd/GaAs, Pd/GaP structures. 2. Measurementcurrent-voltage characteristicsof Pd/oxide/InP, Pd/GaAs, and Pd/GaP structures in vacuum and in a hydrogen atmosphere. 3. Measurement of photocurrent at forward displacement in Pd/oxide/InP, Pd/GaAs, Pd/GaP structures. 4. Comparative analysis of the photovoltaic characteristics of Pd/oxide/InP, Pd/GaAs, and Pd/GaP structures. Measurements to study the effect of hydrogen on the electrical characteristics of the Pd-oxide-InP structure were carried out in the temperature range 90-300 K. For the analysis of the data obtained, the Origin 2018 software was used. The dependences of the parameters characterizing the mechanisms of the structure's conductivity were obtained. The photocurrent of the Pd / oxide / InP, Pd / GaAs, and Pd / GaP structures was measured at forward bias. The saturation of the photocurrent in a hydrogen atmosphere andin a vacuum in the Pd / oxide / InP structure and an increase in the potential barrier in the Pd / GaAs and Pd / GaP structures were observed. The results obtained can be used in further studies to improve the photoelectric characteristics of the Pd / oxide / InP structure and to study the effect of hydrogen on the photoelectric characteristics of the Pd / GaAs and Pd / GaP structures under forward bias.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Внешние организации №2 Все Прочитать
Внешние организации №1 Все
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №2) Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №1)
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 3
За последние 30 дней: 1
Подробная статистика