Details

Title Влияние концентрации водорода на фотоэлектрические свойства структур Pd-оксид-InP: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Физика полупроводников и наноэлектроника»
Creators Шарипов Руслан Рустемович
Scientific adviser Мусихин Сергей Федорович
Other creators Гаврикова Татьяна Андреевна
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2021
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects фотоэлектрический сенсор водорода ; туннельный механизм проводимости ; работа выхода палладия ; прямое смещение ; фототок ; photoelectric hydrogen sensor ; tunneling conduction mechanism ; work function of palladium ; forward bias ; photocurrent
Document type Bachelor graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Bachelor
Speciality code (FGOS) 16.03.01
Speciality group (FGOS) 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links Отзыв руководителя ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-3213
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key ru\spstu\vkr\12157
Record create date 7/2/2021

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

Данная работа посвящена исследованию влияния концентрации водорода на электрические и фотоэлектрические свойства структур Pd/оксид/InP,Pd/GaAs,Pd/GaPи сравнительному анализу фотоэлектрических характеристик данных структур. Задачи, которые решались в ходе исследования: 1. Разработка чувствительных элементов на основе структур Pd/оксид/InP,Pd/GaAs,Pd/GaP. 2. Измерения ВАХ структур Pd/оксид/InP,Pd/GaAs,Pd/GaP в вакууме и в атмосфере водорода. 3. Измерение фототока при прямом смещении в структурах Pd/оксид/InP,Pd/GaAs,Pd/GaP. 4. Сравнительный анализ фотоэлектрических характеристик структур Pd/оксид/InP,Pd/GaAs,Pd/GaP. Измерения для исследования влияния водорода на электрические характеристики структуры Pd-оксид-InPпроводились в диапазоне температур 90-300K. Для анализа полученных данных использовалось программное обеспечение Origin 2018. Были получены зависимости параметров,характеризующих механизмы проводимости структуры. Измерение фототока структур Pd/оксид/InP,Pd/GaAs,Pd/GaP проводилось при прямом смещении. Наблюдалось насыщение фототока в атмосфере водорода и в вакууме в структуре Pd/оксид/InP и увеличение потенциального барьера в структурах Pd/GaAs,Pd/GaP. Полученные результаты могут быть использованы в дальнейших работах по улучшению фотоэлектрических характеристик структуры Pd/оксид/InP и исследованию влияния водорода на фотоэлектрические характеристики структур Pd/GaAs,Pd/GaP при прямом смещении.

This work is devoted to the study of the influence of hydrogen concentration on the electrical and photovoltaic properties of Pd/oxide/InP, Pd/GaAs, Pd/GaP structures and a comparative analysis of the photovoltaic characteristics of these structures. Tasks that were solved in the course of the study: 1. Development of sensitive elements based on Pd/oxide/InP, Pd/GaAs, Pd/GaP structures. 2. Measurementcurrent-voltage characteristicsof Pd/oxide/InP, Pd/GaAs, and Pd/GaP structures in vacuum and in a hydrogen atmosphere. 3. Measurement of photocurrent at forward displacement in Pd/oxide/InP, Pd/GaAs, Pd/GaP structures. 4. Comparative analysis of the photovoltaic characteristics of Pd/oxide/InP, Pd/GaAs, and Pd/GaP structures. Measurements to study the effect of hydrogen on the electrical characteristics of the Pd-oxide-InP structure were carried out in the temperature range 90-300 K. For the analysis of the data obtained, the Origin 2018 software was used. The dependences of the parameters characterizing the mechanisms of the structure's conductivity were obtained. The photocurrent of the Pd / oxide / InP, Pd / GaAs, and Pd / GaP structures was measured at forward bias. The saturation of the photocurrent in a hydrogen atmosphere andin a vacuum in the Pd / oxide / InP structure and an increase in the potential barrier in the Pd / GaAs and Pd / GaP structures were observed. The results obtained can be used in further studies to improve the photoelectric characteristics of the Pd / oxide / InP structure and to study the effect of hydrogen on the photoelectric characteristics of the Pd / GaAs and Pd / GaP structures under forward bias.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 7 
Last 30 days: 1

Detailed usage statistics